DMN32D0LFB4是一款來自Diodes Incorporated的N溝道邏輯電平MOSFET。該器件采用DFN2020-8封裝,具有超小型體積和卓越的電氣性能,廣泛應(yīng)用于空間受限的便攜式電子�(shè)備中。其低導(dǎo)通電阻(Rds(on))和快速開�(guān)能力使其非常適合于高效能電源管理�(yīng)�,如負載開關(guān)、同步整流器以及DC-DC�(zhuǎn)換器��
該器件的最大柵極驅(qū)動電壓為10V,并能夠在較低的柵極�(qū)動電壓下提供良好的導(dǎo)通性能,這對于基于鋰電池供電的系�(tǒng)尤為重要�
最大漏源電�(Vdss)�30V
最大柵源電�(Vgss):�8V
連續(xù)漏極電流(Id)�2.9A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�55mΩ(在Vgs=4.5V時)
�(dǎo)通電�(Rds(on))�75mΩ(在Vgs=2.5V時)
總柵極電�(Qg)�4.6nC
輸入電容(Ciss)�104pF
反向恢復(fù)時間(trr)�26ns
工作�(jié)溫范�(Tj)�-55℃至+150�
DMN32D0LFB4具備以下特點�
1. 超低�(dǎo)通電阻,有效減少傳導(dǎo)損耗并提高效率�
2. 極快的開�(guān)速度,能夠支持高頻操作環(huán)��
3. 小型DFN2020-8封裝,適合高密度電路板設(shè)��
4. 在低柵極�(qū)動電壓條件下表現(xiàn)�(yōu)�,特別適用于單節(jié)鋰電池供電場景�
5. 高雪崩耐量和堅固�,確保在惡劣條件下的可靠運行�
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且易于組裝�
7. 提供出色的熱�(wěn)定性和電流承載能力�
這款MOSFET廣泛用于以下�(lǐng)域:
1. 消費類電子產(chǎn)品中的負載開�(guān)�
2. 同步整流器設(shè)�,以提升電源�(zhuǎn)換效��
3. DC-DC�(zhuǎn)換器,包括降壓、升壓及反激式拓撲結(jié)�(gòu)�
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS),如手機、平板電腦和筆記本電��
5. 固態(tài)硬盤(SSD)和其他存儲設(shè)備中的電源路徑控��
6. 電機�(qū)動電�,用于小型直流電機控��
7. 其他需要高效功率切換的�(yīng)用場��
DMN30B0LFB4, DMN34D0LFB4