DMN3200U是一款來(lái)自Diodes Incorporated的N溝道MOSFET,采用DFN1010-4封裝形式。該器件適用于低電壓和高效率�(yīng)用場(chǎng)�,具有極低的�(dǎo)通電阻(Rds(on))和快速開�(guān)性能。它常用于負(fù)載開�(guān)、同步整流器、DC-DC�(zhuǎn)換器以及其他便攜式電子設(shè)備中。這款MOSFET以其緊湊型設(shè)�(jì)和出色的電氣特性而著�,非常適合空間受限的�(yīng)用場(chǎng)景�
DMN3200U通過(guò)�(yōu)化的制造工藝實(shí)�(xiàn)了低�(dǎo)通損�,同�(shí)保持了良好的熱穩(wěn)定性和可靠�。其工作電壓范圍�0�20V,可滿足多種電源管理需求�
最大漏源電壓:20V
最大柵源電壓:±8V
連續(xù)漏極電流�2.9A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):25mΩ(典型�,Vgs=4.5V�(shí)�
總功耗:670mW
�(jié)溫范圍:-55℃至+150�
封裝形式:DFN1010-4
DMN3200U的主要特性包括超低導(dǎo)通電阻以減少功率損�,提高系�(tǒng)效率;具備快速開�(guān)速度,能夠有效降低開�(guān)損�;采用了先�(jìn)的DFN1010-4小型化封�,有助于節(jié)省PCB空間;擁有較高的雪崩耐量和熱�(wěn)定�,保證在�(yán)苛條件下的可靠運(yùn)行;支持大電流操�,增�(qiáng)了器件的靈活性和適用��
此外,該MOSFET還具有低輸入電容和輸出電容,從而�(jìn)一步優(yōu)化了�(dòng)�(tài)性能。這些特點(diǎn)使得DMN3200U成為眾多高效能、小尺寸�(yīng)用的理想選擇�
DMN3200U廣泛�(yīng)用于消費(fèi)類電子產(chǎn)�、通信�(shè)備以及工�(yè)控制�(lǐng)�。具體應(yīng)用包括但不限于:
1. �(fù)載開�(guān) - 用于保護(hù)電路免受�(guò)流或短路的影響�
2. 同步整流 - 提高電源�(zhuǎn)換效��
3. DC-DC�(zhuǎn)換器 - 在降壓或升壓變換中提供高效的開關(guān)功能�
4. 電池管理系統(tǒng) - 控制電池充放電過(guò)程中的電流流�(dòng)�
5. 移動(dòng)�(shè)備電源管� - 如智能手�(jī)、平板電腦等�(nèi)部的電源分配�(wǎng)�(luò)�
6. 固態(tài)照明�(qū)�(dòng) - �(qū)�(dòng)LED燈串以實(shí)�(xiàn)�(diào)光和其他控制功能�
DMN2990U, DMN2989U