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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > DMN3112S-7

DMN3112S-7 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/8 17:33:04 查看 閱讀�25

DMN3112S-7是來(lái)自Diodes Incorporated的一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。該器件采用小型化的DFN2020-8封裝,專(zhuān)為需要高效率和低�(dǎo)通電阻的�(yīng)用而設(shè)�(jì)。DMN3112S-7在低電壓�(qū)�(dòng)條件下表�(xiàn)出優(yōu)異的性能,非常適合便攜式�(shè)�、電源管理電路以及負(fù)載開(kāi)�(guān)等應(yīng)��
  該MOSFET具有較低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,能夠顯著降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率。此�,其具備較高的柵極閾值電�,確保了�(wěn)定的�(yùn)行特�,并且易于與�(biāo)�(zhǔn)邏輯電平兼容�

參數(shù)

最大漏源電壓:20V
  最大柵源電壓:±8V
  連續(xù)漏極電流�1.4A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):0.065Ω(在Vgs=4.5V�(shí)�
  柵極電荷�3.5nC
  總功耗:340mW
  工作�(jié)溫范圍:-55℃至+150�

特�

1. 極低的導(dǎo)通電�,可有效減少傳導(dǎo)損�,提升效��
  2. 小型化DFN2020-8封裝,適合空間受限的�(shè)�(jì)�
  3. 柵極閾值電壓較�,穩(wěn)定性好,適用于電池供電�(shè)��
  4. 高速開(kāi)�(guān)能力,支持高頻電源轉(zhuǎn)換應(yīng)��
  5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且可靠�

�(yīng)�

1. 移動(dòng)�(shè)備中的負(fù)載開(kāi)�(guān)和電源管��
  2. 電池供電�(chǎn)品中的電源通斷控制�
  3. DC-DC�(zhuǎn)換器中的同步整流�(kāi)�(guān)�
  4. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)�(kāi)�(guān)�
  5. 消費(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)品中的保�(hù)電路和信�(hào)切換�
  6. USB接口保護(hù)及限流功能實(shí)�(xiàn)�

替代型號(hào)

DMN3029L-7, BSS138, AO3400

dmn3112s-7推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

dmn3112s-7參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • �(lèi)�分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門(mén)
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C5.8A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C57 毫歐 @ 5.8A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)2.2V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs-
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds268pF @ 5V
  • 功率 - 最�1.4W
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�SOT-23-3
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱(chēng)DMN3112SDITR