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DMN3067LW 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/21 12:53:54 查看 閱讀：19

DMN3067LW 是一款 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET，采用小型化的 LLP2525-8 封裝形式。該器件具有低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)特性，適用于各種高效能電源轉(zhuǎn)換和負(fù)載切換應(yīng)用。
　　其出色的電氣性能和緊湊的封裝使其成為便攜式電子設(shè)備、通信系統(tǒng)以及消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品中的理想選擇。

參數(shù)

最大漏源電壓：60V
　　連續(xù)漏極電流：4.2A
　　導(dǎo)通電阻（典型值）：12mΩ
　　柵極電荷：19nC
　　輸入電容：1140pF
　　工作溫度范圍：-55℃ 至 150℃
　　封裝類(lèi)型：LLP2525-8

特性

DMN3067LW 具有非常低的導(dǎo)通電阻，這有助于減少功率損耗并提高效率。此外，它的快速開(kāi)關(guān)能力可以降低開(kāi)關(guān)損耗，非常適合高頻應(yīng)用。
　　該器件還具備良好的熱穩(wěn)定性，在較寬的工作溫度范圍內(nèi)能夠保持穩(wěn)定的性能。
　　另外，它的小型化封裝設(shè)計(jì)減少了 PCB 空間占用，非常適合對(duì)尺寸敏感的設(shè)計(jì)項(xiàng)目。

應(yīng)用

DMN3067LW 廣泛應(yīng)用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電池管理電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、負(fù)載開(kāi)關(guān)以及其他需要高效率和快速響應(yīng)的應(yīng)用場(chǎng)景。
　　由于其出色的性能和可靠性，這款 MOSFET 在智能手機(jī)、平板電腦、筆記本電腦適配器以及其他便攜式設(shè)備中也得到了廣泛應(yīng)用。

替代型號(hào)

DMN2990LW, DMN3037UFQ

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