DMN3032LE-13 是一� N 溝道邏輯電平增強� MOSFET,采� SOT-23-3 封裝。該器件適用于低電壓、高效率開關應用場合,其超低的導通電阻和快速開關能力使其非常適合電池供電設備及空間受限的應用場��
這款 MOSFET 的柵極驅動電壓范圍較�,能夠兼容多種邏輯電平信�,從而簡化了電路設計并提高了系統(tǒng)的可靠��
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�3.2A
導通電阻(典型值)�50mΩ
柵極閾值電壓:1.2V
總功耗:420mW
工作溫度范圍�-55℃至+150�
封裝類型:SOT-23-3
DMN3032LE-13 具有以下主要特性:
1. 極低的導通電� (Rds(on)),有助于減少傳導損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 寬范圍的柵極驅動電壓兼容性,支持 1.8V�2.5V � 3.3V 的邏輯電��
3. 快速開關性能,減少了開關損��
4. 小尺� SOT-23-3 封裝,適合緊湊型設計�
5. 高可靠性與�(wěn)定�,能夠在極端溫度范圍內正常工作�
6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且易于集成到現代電子產品中�
DMN3032LE-13 廣泛應用于各種低功率電子設備中,包括但不限于�
1. 移動設備中的負載開關和電源管��
2. USB 端口保護和小� DC/DC 轉換器�
3. 便攜式設備中的電池管理與充電控制�
4. 工業(yè)控制和消費類電子產品中的信號切換�
5. 電機驅動和繼電器替代方案�
6. LED 驅動和背光調節(jié)�
由于其出色的效率和小尺寸,它特別適合需要節(jié)省空間和降低功耗的應用場景�
DMN2997UF-13, DMN2998UF-7, BSS138