DMN3025LSS是一款來自Diodes Incorporated的N溝道MOSFET,采用超小型DFN1610-4封裝。該器件具有低導(dǎo)通電阻(Rds(on))和快速開�(guān)速度,適用于要求高效率和小尺寸的�(yīng)用場�。其工作電壓范圍�30V,并且在消費(fèi)電子、移動設(shè)備以及工�(yè)�(yīng)用中表現(xiàn)出優(yōu)異性能�
最大漏源電�(Vds)�30V
最大柵源電�(Vgs):�8V
連續(xù)漏極電流(Id)�2.5A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�75mΩ(典型�,Vgs=4.5V時)
總柵極電�(Qg)�3.5nC
輸入電容(Ciss)�105pF
工作溫度范圍�-55℃至+150�
DMN3025LSS采用DFN1610-4封裝,體積小�,適合空間受限的�(shè)�(jì)�
該器件具備較低的�(dǎo)通電�,有助于減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
MOSFET具有出色的熱�(wěn)定�,在高溫�(huán)境下仍能保持可靠的性能�
其快速開�(guān)能力使得DMN3025LSS非常適合高頻開關(guān)電源和負(fù)載切換應(yīng)��
由于其低柵極電荷和優(yōu)化的開關(guān)特性,可顯著降低開�(guān)損��
該芯片廣泛應(yīng)用于便攜式電子設(shè)備中的負(fù)載開�(guān)�
它適用于DC-DC�(zhuǎn)換器和電池管理電��
還常見于USB充電端口保護(hù)、音頻放大器和LED�(qū)動等�(yīng)用領(lǐng)域�
DMN3025LSS也適用于需要緊湊設(shè)�(jì)的小型化�(chǎn)�,例如智能手�(jī)和平板電��
DMN2998LSS
BSC019N06LS G
FDS6670A