DMN3018SSD 是一� N 治道 MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),由 Diodes Incorporated 生產(chǎn)。該器件采用 SO-8 封裝,具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),適用于多種功率�(zhuǎn)換和電機(jī)�(qū)�(dòng)�(yīng)�。其�(shè)�(jì)能夠?qū)崿F(xiàn)高效的電源管理,并在各種�(fù)載條件下提供�(wěn)定的性能�
最大漏源電壓:60V
最大連續(xù)漏電流:4.2A
�(dǎo)通電阻:45mΩ
柵極電荷�12nC
開關(guān)�(shí)間:ton=9ns, toff=27ns
工作�(jié)溫范圍:-55� � +150�
DMN3018SSD 具有低導(dǎo)通電�,可減少功率損耗并提高效率。同�(shí),它擁有快速的開關(guān)速度,有助于降低開關(guān)損耗并在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)出色�
該器件的柵極閾值電壓經(jīng)過優(yōu)化,能夠在低電壓條件下可靠運(yùn)�,非常適合電池供電設(shè)備�
SO-8 封裝提供了良好的散熱性能和電氣隔�,確保在高密度電路板布局中的可靠��
此外,DMN3018SSD 的高雪崩能力增強(qiáng)了其在瞬�(tài)條件下的魯棒�,延長了器件壽命�
DMN3018SSD 廣泛�(yīng)用于 DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)、電�(jī)�(qū)�(dòng)、LED �(qū)�(dòng)器以及消�(fèi)類電子產(chǎn)品中的功率管理模塊。它的高效性能和緊湊封裝使其成為便攜式�(shè)備的理想選擇,例如智能手�(jī)、平板電腦和筆記本電腦配件�
在工�(yè)�(lǐng)�,該 MOSFET 也可用于小型化設(shè)�(jì)的電源適配器和電池充電器�
DMN2018UFDD, DMN3020SSD