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DMN3009LFVQ 發(fā)布時間 時間�2025/5/15 12:14:06 查看 閱讀�21

DMN3009LFVQ是一款由Diodes公司生產(chǎn)的MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),屬于P-channel增強(qiáng)型器�。該芯片主要�(yīng)用于電源管理、負(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路等領(lǐng)域,具有低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,適用于需要高效能和小型化�(shè)�(jì)的電子設(shè)備�
  這款器件采用了MicroFET技�(shù),封裝形式為DFN1006-2�1mm x 0.6mm),非常緊湊且適合空間受限的�(yīng)用場��

參數(shù)

類型:P-channel MOSFET
  最大漏源電�(Vds)�-40V
  最大柵源電�(Vgs):�8V
  連續(xù)漏極電流(Id)�-1A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�150mΩ(典型值,在Vgs=-4.5V時)
  總功�(Ptot)�0.2W
  工作溫度范圍�-55°C � +150°C
  封裝形式:DFN1006-2

特�

DMN3009LFVQ具備以下主要特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻確保了高效率和較低的功率損��
  2. 快速開�(guān)性能支持高頻�(yīng)��
  3. 小型化的DFN1006-2封裝使其非常適合便攜式設(shè)備和高密度設(shè)�(jì)�
  4. 較寬的工作溫度范圍使得該器件能夠在極端環(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
  5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛工��
  6. �(nèi)部結(jié)�(gòu)�(yōu)化以提高熱性能和電氣穩(wěn)定��
  這些特點(diǎn)使得DMN3009LFVQ成為電池供電�(shè)備、消�(fèi)類電子產(chǎn)品以及工�(yè)控制系統(tǒng)的理想選��

�(yīng)�

DMN3009LFVQ廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 手機(jī)和其他便攜式電子�(chǎn)品的�(fù)載開�(guān)�
  2. 電池保護(hù)電路中的過流和短路保�(hù)�
  3. 電源管理單元中的開關(guān)元件�
  4. �(shù)�(jù)通信接口的ESD保護(hù)�
  5. 小信號切換和邏輯電平�(zhuǎn)換�
  6. 各種低功耗和小尺寸需求的嵌入式系�(tǒng)�
  其緊湊的外形和高效的性能特別適合對體積和能耗有�(yán)格要求的�(yīng)用場��

替代型號

DMN3009UFQ,
  DMN3017UFQ,
  DMN2009UFQ

dmn3009lfvq推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
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