DMN3009LFVQ是一款由Diodes公司生產(chǎn)的MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),屬于P-channel增強(qiáng)型器�。該芯片主要�(yīng)用于電源管理、負(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路等領(lǐng)域,具有低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,適用于需要高效能和小型化�(shè)�(jì)的電子設(shè)備�
這款器件采用了MicroFET技�(shù),封裝形式為DFN1006-2�1mm x 0.6mm),非常緊湊且適合空間受限的�(yīng)用場��
類型:P-channel MOSFET
最大漏源電�(Vds)�-40V
最大柵源電�(Vgs):�8V
連續(xù)漏極電流(Id)�-1A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�150mΩ(典型值,在Vgs=-4.5V時)
總功�(Ptot)�0.2W
工作溫度范圍�-55°C � +150°C
封裝形式:DFN1006-2
DMN3009LFVQ具備以下主要特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻確保了高效率和較低的功率損��
2. 快速開�(guān)性能支持高頻�(yīng)��
3. 小型化的DFN1006-2封裝使其非常適合便攜式設(shè)備和高密度設(shè)�(jì)�
4. 較寬的工作溫度范圍使得該器件能夠在極端環(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛工��
6. �(nèi)部結(jié)�(gòu)�(yōu)化以提高熱性能和電氣穩(wěn)定��
這些特點(diǎn)使得DMN3009LFVQ成為電池供電�(shè)備、消�(fèi)類電子產(chǎn)品以及工�(yè)控制系統(tǒng)的理想選��
DMN3009LFVQ廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 手機(jī)和其他便攜式電子�(chǎn)品的�(fù)載開�(guān)�
2. 電池保護(hù)電路中的過流和短路保�(hù)�
3. 電源管理單元中的開關(guān)元件�
4. �(shù)�(jù)通信接口的ESD保護(hù)�
5. 小信號切換和邏輯電平�(zhuǎn)換�
6. 各種低功耗和小尺寸需求的嵌入式系�(tǒng)�
其緊湊的外形和高效的性能特別適合對體積和能耗有�(yán)格要求的�(yīng)用場��
DMN3009UFQ,
DMN3017UFQ,
DMN2009UFQ