DMN2991UTQ 是一款由 Diodes 公司生產(chǎn)� N 溝道增強� MOSFET,采用微� UTQFN-3L 封裝。該器件主要�(yīng)用于便攜式設(shè)備和空間受限的應(yīng)用場景中,因其出色的�(dǎo)通電阻和小型化設(shè)計而備受青�。DMN2991UTQ 的低�(dǎo)通電阻特性能夠有效降低功耗并提升效率,適用于各種低壓開關(guān)�(yīng)��
DMN2991UTQ 的工作電壓范圍為 -0.3V � 30V(最大值),其典型�(yīng)用場景包括負載開�(guān)、DC-DC �(zhuǎn)換器、電池保護電路以及信號切換等。得益于其超小尺寸和高能效表�(xiàn),這款 MOSFET 成為�(xiàn)代電子設(shè)計中的理想選擇�
最大漏源極電壓�30V
最大柵源極電壓:�8V
連續(xù)漏極電流�2.1A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):5.7mΩ(在 Vgs=4.5V 時)
總功耗:360mW
封裝類型:UTQFN-3L
工作溫度范圍�-55� � +150�
DMN2991UTQ 的關(guān)鍵特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 微型 UTQFN-3L 封裝,節(jié)� PCB 空間,非常適合便攜式�(shè)備和其他對尺寸敏感的�(shè)��
3. 較高的漏極電流能力(高達 2.1A�,支持多種功率級別的�(yīng)用需��
4. 寬工作溫度范圍(-55� � +150℃),確保在極端�(huán)境下的可靠性�
5. 符合 RoHS 標準,滿足環(huán)保要求�
6. 高度集成的單芯片�(shè)�,簡化了電路布局與組裝流程�
這些特性使 DMN2991UTQ 成為需要高效能和小型化的應(yīng)用場合的理想解決方案�
DMN2991UTQ 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 消費類電子產(chǎn)品中的負載開�(guān)控制�
2. 移動�(shè)備及可穿戴設(shè)備的電源管理模塊�
3. 便攜式電池供電設(shè)備的電池保護電路�
4. DC-DC �(zhuǎn)換器中的開關(guān)元件�
5. 信號切換與隔離電��
6. LED �(qū)動和背光�(diào)節(jié)�
由于其低�(dǎo)通電阻和小型封裝,DMN2991UTQ 在需要高效率和緊湊設(shè)計的�(yīng)用中表現(xiàn)出色�
DMN2990UTQ
DMN2989UTQ
BSH103