DMN2310U是一款由Diodes Incorporated生產(chǎn)的N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)。該器件采用DFN3030-8封裝形式,適用于需要高效率、低導通電阻以及緊湊設計的應用場景。DMN2310U在消費電�、通信設備及計算機外設等領域有廣泛的應��
型號:DMN2310U
類型:N溝道增強型MOSFET
封裝:DFN3030-8
漏源極電�(Vds)�30V
連續(xù)漏極電流(Id)�2.9A
柵極電荷(Qg)�6nC
導通電�(Rds(on))�70mΩ
工作溫度范圍�-55°C�150°C
功耗:0.5W
DMN2310U具有非常低的導通電�,僅�70毫歐,在開關應用中可以有效減少功率損��
其小尺寸DFN3030-8封裝非常適合于空間受限的設計,同時提供出色的熱性能�
此外,該器件具備快速開關速度和較低的柵極電荷,有助于提高系統(tǒng)效率并降低電磁干�(EMI)�
它還支持較寬的工作溫度范�,從-55°C�150°C,保證了在各種環(huán)境下的穩(wěn)定運��
DMN2310U主要應用于便攜式電子設備中的負載開關、DC/DC�(zhuǎn)換器、電池管理電路以及電機驅(qū)動等場合�
其低導通電阻和緊湊的封裝使其成為智能手�、平板電腦和其他移動設備的理想選擇�
此外,DMN2310U也適合用于USB充電端口保護、音頻放大器開關以及LED�(qū)動電路中�
DMN2311U
DMN2312U