DMN2104L-7是一款來自Diodes Incorporated的N溝道MOSFET晶體�,采用SOT-23封裝形式。這款器件主要�(yīng)用于低壓、低功耗場景下的開�(guān)和負(fù)載驅(qū)動應(yīng)用。其出色的導(dǎo)通電阻特性使其非常適合用于便攜式�(shè)�、消費類電子�(chǎn)品以及通信系統(tǒng)中的功率管理電路�
最大漏源電壓:30V
最大柵源電壓:±8V
連續(xù)漏極電流�1.1A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):0.95Ω(典型�,Vgs=4.5V時)
柵極電荷�3nC(典型值)
工作�(jié)溫范圍:-55℃至150�
DMN2104L-7具有以下顯著特點�
1. 低導(dǎo)通電阻設(shè)計能夠有效降低功率損�,提高效��
2. 小型化的SOT-23封裝節(jié)省了PCB空間,特別適合緊湊型�(shè)計需��
3. 較高的雪崩擊穿能力和�(qiáng)健的ESD保護(hù)性能確保了器件在惡劣�(huán)境下的可靠性�
4. 快速開�(guān)速度降低了開�(guān)損�,并且提升了系統(tǒng)的動�(tài)響應(yīng)能力�
5. 寬泛的工作溫度范圍使得該器件適用于各種工�(yè)及商�(yè)�(yīng)用場��
該MOSFET廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 移動�(shè)備中的電源管理模塊,例如手機(jī)和平板電��
2. 計算�(jī)外設(shè)中的開關(guān)控制單元,如USB端口保護(hù)與控��
3. 各種消費類電子產(chǎn)品的�(fù)載開�(guān)�(yīng)��
4. LED照明系統(tǒng)的驅(qū)動電��
5. 工業(yè)控制�(lǐng)域的信號切換與小型電�(jī)�(qū)��
DMN2106L-7
BS108
Si2302DS