DMN2053UFDB是來自Diodes Incorporated的一款N溝道增強型MOSFET晶體�,采用微型DFN3030-10封裝。該器件具有低導通電阻(Rds(on))和高開�(guān)速度的特�,非常適合用于便攜式�(shè)�、消費電子和其他需要高效功率管理的�(yīng)用場景�
這款MOSFET的主要特點是其在較低電壓下的�(yōu)異性能表現(xiàn),能夠有效減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�3.7A
導通電阻:45mΩ(典型值,@Vgs=4.5V�
柵極電荷�6nC(最大值)
輸入電容�140pF
總功耗:830mW
工作�(jié)溫范圍:-55℃至+150�
DMN2053UFDB具備非常低的導通電�,這使其在功率�(zhuǎn)換應(yīng)用中表現(xiàn)出色,可以顯著降低傳導損�。同�,它具有快速開�(guān)能力,減少了開關(guān)過程中的能量損失。此�,其小型化的DFN3030-10封裝有助于節(jié)省PCB空間,非常適合對尺寸敏感的設(shè)��
該元件還具有出色的熱�(wěn)定性和電氣性能,在廣泛的溫度范圍內(nèi)保持一致的特�。另�,其反向恢復(fù)電荷極低,進一步優(yōu)化了在高頻條件下的表�(xiàn)�
DMN2053UFDB廣泛�(yīng)用于直流-直流�(zhuǎn)換器、負載開�(guān)、電池管理模塊以及電機驅(qū)動等場景。它的低導通電阻和緊湊的封裝形式特別適合于手機、平板電�、可穿戴�(shè)備及其他便攜式電子產(chǎn)品�
此外,它也可用于計算機外�(shè)、USB充電端口保護電路以及其他需要高性能功率開關(guān)的場��
DMN2053SFDB, DMN2054UFDB