DMN2040LTS 是一� N 溝道邏輯電平增強� MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)。它采用超小� SOT-23 封裝,適用于需要高開關速度和低導通電阻的應用場景。該器件在低電壓驅動條件下表�(xiàn)出優(yōu)異的性能,廣泛應用于便攜式設備、消費類電子和工�(yè)控制領域�
最大漏源電壓:30V
最大柵源電壓:±8V
連續(xù)漏極電流�1.9A
導通電阻:0.85Ω
總功耗:360mW
工作結溫范圍�-55� � 150�
DMN2040LTS 具有以下顯著特性:
1. 超低導通電�,在典型條件下的 Rds(on) � 0.85Ω,能夠有效降低功率損��
2. 支持低至 2.5V 的邏輯電平驅動,適合鋰電池供電的便攜式應��
3. 快速開關能力,有助于減少開關損耗并提升效率�
4. 高度緊湊� SOT-23 封裝設計,節(jié)� PCB 空間�
5. 提供出色的熱�(wěn)定性和可靠�,可承受高達 150� 的結��
DMN2040LTS 廣泛用于以下應用場景�
1. 開關電源� DC-DC 轉換器中的同步整流�
2. 電池供電設備的負載開��
3. 消費類電子產品中的電機驅動和信號切換�
4. 工業(yè)自動化系�(tǒng)中的保護電路和接口控��
5. LED 驅動器和背光控制模塊�
DMN2040UTR, BSS138, BS170