DMN2024UVT 是一款來� Diodes Incorporated � N 沃林頓溝� MOSFET。該器件采用超小� U-DFN2020-6 封裝,具有低導通電阻和高開關速度的特性,非常適合用于便攜式設�、電池供電設備以及對空間要求苛刻的應用中�
DMN2024UVT 提供了出色的性能,能�?qū)崿F(xiàn)高效能功率轉(zhuǎn)換和信號切換,同時其緊湊的設計使得它� PCB 布局上占�(jù)極少的空��
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�2.7A
導通電阻(典型值)�180mΩ
柵極電荷�1.5nC
總電容:35pF
工作溫度范圍�-55� � +150�
DMN2024UVT 具備以下關鍵特性:
1. 超低導通電阻(Rds(on)),有助于減少傳導損耗并提高效率�
2. 小型化封裝設計(U-DFN2020-6�,節(jié)� PCB 空間�
3. 快速開關能力,適用于高頻應��
4. � ESD 保護,提升器件可靠性�
5. 符合 RoHS 標準,綠色環(huán)��
6. 工作溫度范圍寬廣,適應多種環(huán)境需��
DMN2024UVT 廣泛應用于以下領域:
1. 手機和平板電腦等便攜式電子設備中的負載開��
2. 電池管理系統(tǒng)的充�/放電控制�
3. 開關電源適配器及 DC-DC �(zhuǎn)換器�
4. LED �(qū)動電路中的開關元��
5. 各種工業(yè)和消費類電子�(chǎn)品中的信號切��
6. 電機�(qū)動與控制應用中的功率級組��
DMN2024SCT, DMN2025UVT