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DMN2011UTS 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/30 15:55:01 查看 閱讀�30

DMN2011UTS是來自Diodes Incorporated的一款N溝道MOSFET功率晶體�,采用超小型DFN2020-6封裝。該器件主要�(shè)�(jì)用于需要高效率和低�(dǎo)通電阻的�(yīng)用場�,適合空間受限的�(shè)�(jì)。它具有較低的導(dǎo)通電阻(Rds(on))以及快速開�(guān)特性,能夠有效減少功耗并提高系統(tǒng)效率�
  DMN2011UTS廣泛�(yīng)用于便攜式電子設(shè)�、電源管理模�、負(fù)載開�(guān)、DC-DC�(zhuǎn)換器以及其他低壓功率�(zhuǎn)換電路中�

參數(shù)

最大漏源電�(Vdss)�30V
  連續(xù)漏極電流(Id)�1.8A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�75mΩ (典型�,在Vgs=4.5V�(shí))
  柵極電荷(Qg)�3nC (典型�)
  輸入電容(Ciss)�130pF (典型�)
  工作�(jié)溫范�(Tj)�-55°C�+150°C
  封裝類型:DFN2020-6

特�

DMN2011UTS具備以下特點(diǎn)�
  1. 極低的導(dǎo)通電阻確保在高電流條件下減少功率損��
  2. 小型化的DFN2020-6封裝使其非常適合�(duì)PCB空間要求較高的應(yīng)用�
  3. 快速開�(guān)速度有助于降低開�(guān)損�,提升整體效��
  4. 較寬的工作結(jié)溫范圍允許其在惡劣環(huán)境下�(wěn)定運(yùn)行�
  5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛設(shè)�(jì)�
  6. 高可靠性和耐用�,適用于多種工業(yè)和消�(fèi)類電子產(chǎn)��

�(yīng)�

DMN2011UTS的典型應(yīng)用場景包括:
  1. 手機(jī)和平板電腦等便攜式設(shè)備中的負(fù)載開�(guān)�
  2. 電池供電�(shè)備中的電源管理單��
  3. DC-DC�(zhuǎn)換器和升�/降壓電路中的開關(guān)元件�
  4. 各種電機(jī)�(qū)�(dòng)和LED照明控制電路�
  5. �(shù)�(jù)通信和網(wǎng)�(luò)�(shè)備中的信�(hào)切換與保�(hù)功能�
  6. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品的適配器和充電器設(shè)�(jì)�

替代型號(hào)

DMN2019UCS, DMN2020LDT, BSS138

dmn2011uts推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)