DMN2011UFDE是一款由Diodes Incorporated生產(chǎn)的N通道增強(qiáng)型MOSFET。該器件采用微型DFN1010-6封裝,具有超小尺寸和低導(dǎo)通電阻的特點(diǎn),非常適合空間受限的應(yīng)用場(chǎng)景。
這款MOSFET的額定電壓為30V,能夠承受較高的瞬態(tài)電壓,同時(shí)其導(dǎo)通電阻非常低,有助于提高效率并降低功耗。DMN2011UFDE在開(kāi)關(guān)電源、負(fù)載開(kāi)關(guān)、電池管理以及便攜式電子設(shè)備中有著廣泛的應(yīng)用。
最大漏源電壓:30V
最大柵源電壓:±8V
連續(xù)漏極電流:1.5A
導(dǎo)通電阻(典型值):45mΩ
柵極電荷:3nC
總電容:190pF
工作結(jié)溫范圍:-55℃至150℃
DMN2011UFDE具有以下顯著特性:
1. 超低導(dǎo)通電阻,有助于減少傳導(dǎo)損耗。
2. 小尺寸DFN1010-6封裝,適合高密度設(shè)計(jì)。
3. 高速開(kāi)關(guān)性能,適用于高頻應(yīng)用。
4. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且可靠。
5. 優(yōu)異的熱穩(wěn)定性,能夠在寬溫度范圍內(nèi)正常工作。
6. 內(nèi)部二極管反向恢復(fù)時(shí)間短,提升整體效率。
DMN2011UFDE的主要應(yīng)用領(lǐng)域包括:
1. 開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)中的同步整流。
2. 移動(dòng)設(shè)備中的負(fù)載開(kāi)關(guān)控制。
3. USB端口保護(hù)及過(guò)流保護(hù)電路。
4. 電池供電設(shè)備中的電源管理。
5. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)和LED驅(qū)動(dòng)中的功率開(kāi)關(guān)。
6. 各類消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的信號(hào)切換。
DMN2021UFDE
NTMV2010NBR
Si3400DD