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DMN2004WK 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/30 15:41:44 查看 閱讀�12

DMN2004WK是安森美(ON Semiconductor)推出的一款N溝道邏輯電平增強(qiáng)型MOSFET。該器件采用微型DFN封裝,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特性,非常適合用于便攜式設(shè)�、負(fù)載開�(guān)、同步整流以及電�(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)用場合�
  這款MOSFET的工作電壓范圍為-0.3V�20V,其�(shè)�(jì)�(yōu)化了柵極�(qū)�(dòng)要求,并且具備較低的靜態(tài)功�,能夠有效提升系�(tǒng)的效率和可靠��

參數(shù)

最大漏源電壓:20V
  連續(xù)漏極電流�1.7A
  �(dǎo)通電阻(典型�,在Vgs=4.5V�(shí)):100mΩ
  柵極電荷(典型值)�8nC
  總電容(輸入電容):96pF
  開關(guān)�(shí)間(典型值):ton=15ns,toff=15ns
  工作�(jié)溫范圍:-55℃至150�
  封裝形式:DFN1010B-3

特�

DMN2004WK采用了先�(jìn)的制程技�(shù),實(shí)�(xiàn)了超低的�(dǎo)通電�,從而減少了功率損耗并提升了整體效率�
  此外,它還具有以下特�(diǎn)�
  1. 極低的柵極電荷使得開�(guān)速度更快,適用于高頻�(yīng)��
  2. 小尺寸封裝(1mm x 1mm�,非常適合空間受限的�(shè)�(jì)�
  3. 高度可靠的電氣性能,能夠在較寬的工作溫度范圍內(nèi)保持�(wěn)��
  4. 支持邏輯電平�(qū)�(dòng),簡化了電路�(shè)�(jì)并降低了�(duì)�(qū)�(dòng)器的需求�
  5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛工��

�(yīng)�

DMN2004WK廣泛�(yīng)用于多種消費(fèi)類電子產(chǎn)品的電源管理方案�,包括但不限于:
  1. 智能手機(jī)和平板電腦中的負(fù)載開�(guān)�
  2. USB接口保護(hù)與切換電路�
  3. 各種便攜式設(shè)備的電池管理模塊�
  4. 同步整流器及小型直流電機(jī)�(qū)�(dòng)控制�
  5. 開關(guān)電源適配器或充電器中的功率級(jí)元件�
  由于其小體積和高性能表現(xiàn),特別適合需要緊湊設(shè)�(jì)的應(yīng)用場��

替代型號(hào)

DMN2003UWQ, DMN2003CKT, FDS2505

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  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
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