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DMN10H120SFG 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/28 14:41:20 查看 閱讀�34

DMN10H120SFG 是一款來(lái)� Diodes Incorporated � N 溝道增強(qiáng)� MOSFET,采用小型化� LFPAK33 (SOT1226) 封裝形式。該器件具有低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),適合用于需要高效能和緊湊設(shè)�(jì)的電源管理應(yīng)用。其耐壓能力� 120V,適用于多種中低壓場(chǎng)景下的功率轉(zhuǎn)換和�(fù)載切換�
  � MOSFET 非常適合用于消費(fèi)電子、工�(yè)�(shè)備以及通信�(lǐng)域中� DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)器和電池保護(hù)電路��

參數(shù)

最大漏源電壓:120V
  連續(xù)漏極電流�10A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):15mΩ(典型�,在 Vgs=10V �(shí)�
  柵極電荷�14nC(典型值)
  �(kāi)�(guān)頻率:高�(dá) MHz �(jí)�
  工作�(jié)溫范圍:-55� � +175�
  封裝�(lèi)型:LFPAK33 (SOT1226)

特�

DMN10H120SFG 具有以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電�,有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高效率�
  2. 快速開(kāi)�(guān)性能,支持高頻操�,能夠滿(mǎn)足現(xiàn)代電源系�(tǒng)�(duì)效率和尺寸的要求�
  3. 高雪崩能量能�,增�(qiáng)了器件在異常條件下的魯棒��
  4. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適合全球市場(chǎng)�(yīng)��
  5. 小型化封裝設(shè)�(jì),節(jié)� PCB 空間,非常適合空間受限的�(shè)�(jì)�(huán)境�
  6. 寬工作溫度范�,確保在極端�(huán)境下依然保持�(wěn)定運(yùn)��

�(yīng)�

DMN10H120SFG 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率�(kāi)�(guān)�
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)元件�
  3. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的保護(hù)�(kāi)�(guān)�
  4. 各種�(fù)載切換和保護(hù)電路�
  5. LED �(qū)�(dòng)器和汽車(chē)電子系統(tǒng)中的功率控制元件�
  6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換和控制模塊�

替代型號(hào)

DMN10H120LSE, DMN10H120SHT, IRFZ44N, FDP5800

dmn10h120sfg推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • �(chǎng)�
  • 封裝/批號(hào)
  • �(xún)�(jià)