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DMN1019UVT 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/27 16:41:01 查看 閱讀�36

DMN1019UVT是一款由Diodes Incorporated生產(chǎn)的MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。該器件采用邏輯電平增強(qiáng)型設(shè)�(jì),適用于低電壓應(yīng)�。它具有極低的導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,適合用于高效能功率�(zhuǎn)換、負(fù)載開�(guān)以及DC-DC�(zhuǎn)換器等場(chǎng)��
  DMN1019UVT為N溝道MOSFET,其封裝形式為SOT23-3L,能夠提供出色的電氣性能,同�(shí)支持表面貼裝工藝以簡(jiǎn)化制造流程�

參數(shù)

最大漏源電壓Vds�20V
  最大柵源電壓Vgs:�8V
  連續(xù)漏極電流Id�1.6A
  �(dǎo)通電阻Rds(on)(在Vgs=4.5V�(shí)):75mΩ
  �(dǎo)通電阻Rds(on)(在Vgs=10V�(shí)):47mΩ
  總功耗Ptot�420mW
  �(jié)溫范圍Tj�-55℃至+150�
  封裝類型:SOT23-3L

特�

DMN1019UVT擁有以下主要特點(diǎn)�
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,確保高效的功率傳輸并降低熱損��
  2. 快速開�(guān)速度,有助于減少開關(guān)損耗并提高系統(tǒng)效率�
  3. 高雪崩耐量能力,可有效�(yīng)�(duì)瞬態(tài)過壓情況�
  4. 小尺寸SOT23-3L封裝,適合空間受限的�(yīng)用場(chǎng)合�
  5. 工作溫度范圍�,適�(yīng)多種�(huán)境條件�
  6. 支持表面貼裝技�(shù)(SMT�,便于自�(dòng)化生�(chǎn)和大�(guī)模制��
  7. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)��

�(yīng)�

該MOSFET廣泛�(yīng)用于各種消費(fèi)類電�、工�(yè)控制和通信�(shè)備中,具體包括:
  1. 手機(jī)和平板電腦等便攜式設(shè)備中的負(fù)載開�(guān)�
  2. 各類DC-DC�(zhuǎn)換器和降壓電路中的功率開�(guān)�
  3. 電池管理系統(tǒng)中的保護(hù)和切換電��
  4. LED�(qū)�(dòng)電路中的開關(guān)元件�
  5. 多種電源管理�(yīng)�,如充電器和適配��
  6. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的開關(guān)元件�

替代型號(hào)

DMN1019UFH, DMN1019DGQ

dmn1019uvt推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)