DMN1005UFDF 是一款由 Diodes 公司生產(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET�。它采用小型化的 SOT23-3L 封裝,適合用于需要高效率和緊湊設(shè)�(jì)的應(yīng)用場(chǎng)�。該器件具有低導(dǎo)通電�、快速開�(guān)速度以及出色的熱性能,使其成為便攜式電子�(shè)�、消�(fèi)類電子產(chǎn)品及電源管理�(yīng)用的理想選擇�
DMN1005UFDF 的主要特�(diǎn)是其超低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),這有助于減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率。此�,它的低柵極電荷(Qg)允許在高頻條件下工�,同�(shí)保持較低的開�(guān)損��
類型:N溝道 MOSFET
封裝:SOT23-3L
最大漏源電� (Vdss)�30V
最大柵源電� (Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流 (Id)�0.98A
脈沖漏極電流 (Id peak)�3.2A
�(dǎo)通電� (Rds(on))�45mΩ @ Vgs=4.5V
柵極電荷 (Qg)�6nC
總功� (Ptot)�400mW
工作溫度范圍 (Tamb)�-55°C to 150°C
DMN1005UFDF 提供了非常低的導(dǎo)通電阻,僅為 45 毫歐(典型值),從而降低了�(dǎo)通狀�(tài)下的功率損�。此外,該器件支持高�(dá) 30V 的漏源電�,并且能夠在高達(dá) 0.98A 的連續(xù)電流下運(yùn)�,峰值電流可�(dá)� 3.2A,因此非常適合驅(qū)�(dòng)較高�(fù)載的�(yīng)��
� SOT23-3L 封裝不僅體積小巧,還具備良好的散熱性能。由于其低柵極電荷和快速開�(guān)能力,DMN1005UFDF 在高頻開�(guān)�(yīng)用中表現(xiàn)出色,能夠有效降低開�(guān)損��
DMN1005UFDF 還具備穩(wěn)健的電氣特性,可在 -55°C � +150°C 的寬溫度范圍�(nèi)�(wěn)定運(yùn)�,適用于各種�(huán)境條��
DMN1005UFDF 廣泛�(yīng)用于多種電源管理�(chǎng)景,包括但不限于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的同步整流器
2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的開關(guān)元件
3. 電池供電�(shè)備中的負(fù)載開�(guān)
4. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率控制
5. 手機(jī)、平板電腦及其他便攜式設(shè)備中的電源管�
6. LED �(qū)�(dòng)電路中的開關(guān)控制
這款器件因其小尺寸和高性能,特別適合對(duì)空間和效率有�(yán)格要求的�(shè)�(jì)�
DMN1007UFDF, BSS138, 2N7002