DMG6602S是一款N溝道增強型MOSFET晶體�,采用小型SOT-23封裝形式。該器件具有低導通電�、快速開關速度和高電流處理能力的特�,適用于各種便攜式設備中的負載開�、電源管理以及信號切換等應用。其設計目的是為了滿足現(xiàn)代電子設備對高效能和小尺寸的需��
最大漏源電壓:20V
最大柵源電壓:±8V
連續(xù)漏極電流�1.5A
導通電阻(Rds(on)):0.95Ω(在Vgs=4.5V時)
總功耗:370mW
工作溫度范圍�-55℃至+150�
DMG6602S擁有非常低的導通電�,這有助于減少功率損耗并提高效率�
該器件具備快速開關能�,能夠有效降低開關過程中的能量損��
SOT-23的小巧封裝使其非常適合于空間受限的應用場景�
它還具有出色的熱�(wěn)定性和可靠�,能夠在較寬的溫度范圍內正常工作�
此外,DMG6602S支持表面貼裝技�,簡化了生產(chǎn)流程并提高了制造效率�
這款MOSFET廣泛應用于手�、平板電腦和其他消費類電子產(chǎn)品中的負載開關�
它可以用于電池供電設備的電源管理電路�,以實現(xiàn)高效的電能轉��
此外,在音頻設備、LED驅動器以及數(shù)�(jù)通信系統(tǒng)中也有它的身��
由于其快速的開關特性和低導通電�,DMG6602S也是電機控制和信號切換的理想選擇�
DMG2303L, BSS138, SI2302DS