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DMG4413LSS-13 發(fā)布時間 時間:2025/5/22 20:06:37 查看 閱讀:8

DMG4413LSS-13是一款來自Diodes Incorporated的N溝道邏輯電平MOSFET,采用微型DFN2016-8封裝。該器件設計用于需要低導通電阻和高效率開關性能的應用場景。其優(yōu)化的柵極驅動特性使其非常適合便攜式設備、消費電子以及工業(yè)應用中的負載開關、同步整流和DC/DC轉換等功能。
  該型號以其小尺寸和高性能著稱,適合對空間要求嚴格且需要高效能的電路設計。

參數(shù)

最大漏源電壓(Vds):30V
  最大柵源電壓(Vgs):±8V
  連續(xù)漏極電流(Id):4.9A
  導通電阻(Rds(on)):15mΩ @ Vgs=4.5V
  柵極電荷(Qg):1.8nC
  總功耗(Ptot):170mW
  工作結溫范圍(Tj):-55℃至+150℃

特性

DMG4413LSS-13具有以下關鍵特性:
  1. 極低的導通電阻Rds(on),有助于降低功率損耗并提升整體系統(tǒng)效率。
  2. 支持寬范圍的Vgs操作電壓,兼容常見的邏輯電平信號(如3.3V和5V)。
  3. 小巧的DFN2016-8封裝,面積僅為2mm x 1.6mm,非常適合緊湊型設計。
  4. 高可靠性和耐熱性,能夠在惡劣的工作條件下保持穩(wěn)定運行。
  5. 符合RoHS標準,綠色環(huán)保,滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品的合規(guī)性要求。

應用

這款MOSFET適用于多種應用場景,包括但不限于:
  1. 手機和平板電腦等便攜式設備中的負載開關。
  2. 同步整流電路,用以提高電源轉換效率。
  3. DC/DC轉換器中作為開關元件。
  4. 消費類電子產(chǎn)品中的電池管理及保護電路。
  5. 工業(yè)控制領域內(nèi)的小型化、高效率開關解決方案。
  由于其出色的性能和小巧的外形,DMG4413LSS-13成為了眾多設計工程師的理想選擇。

替代型號

DMG4413LSE-13
  DMG4413LSD-13

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dmg4413lss-13參數(shù)

  • 標準包裝2,500
  • 類別分離式半導體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點標準型
  • 漏極至源極電壓(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C10.5A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C7.5 毫歐 @ 13A,10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)2.1V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs46nC @ 5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds4965pF @ 15V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
  • 供應商設備封裝8-SOP
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱DMG4413LSS-13DITR