DMG4413LSS-13是一款來自Diodes Incorporated的N溝道邏輯電平MOSFET,采用微型DFN2016-8封裝。該器件設計用于需要低導通電阻和高效率開關性能的應用場景。其優(yōu)化的柵極驅動特性使其非常適合便攜式設備、消費電子以及工業(yè)應用中的負載開關、同步整流和DC/DC轉換等功能。
該型號以其小尺寸和高性能著稱,適合對空間要求嚴格且需要高效能的電路設計。
最大漏源電壓(Vds):30V
最大柵源電壓(Vgs):±8V
連續(xù)漏極電流(Id):4.9A
導通電阻(Rds(on)):15mΩ @ Vgs=4.5V
柵極電荷(Qg):1.8nC
總功耗(Ptot):170mW
工作結溫范圍(Tj):-55℃至+150℃
DMG4413LSS-13具有以下關鍵特性:
1. 極低的導通電阻Rds(on),有助于降低功率損耗并提升整體系統(tǒng)效率。
2. 支持寬范圍的Vgs操作電壓,兼容常見的邏輯電平信號(如3.3V和5V)。
3. 小巧的DFN2016-8封裝,面積僅為2mm x 1.6mm,非常適合緊湊型設計。
4. 高可靠性和耐熱性,能夠在惡劣的工作條件下保持穩(wěn)定運行。
5. 符合RoHS標準,綠色環(huán)保,滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品的合規(guī)性要求。
這款MOSFET適用于多種應用場景,包括但不限于:
1. 手機和平板電腦等便攜式設備中的負載開關。
2. 同步整流電路,用以提高電源轉換效率。
3. DC/DC轉換器中作為開關元件。
4. 消費類電子產(chǎn)品中的電池管理及保護電路。
5. 工業(yè)控制領域內(nèi)的小型化、高效率開關解決方案。
由于其出色的性能和小巧的外形,DMG4413LSS-13成為了眾多設計工程師的理想選擇。
DMG4413LSE-13
DMG4413LSD-13