DMC3350LDW是一款高性能的功率MOSFET芯片,采用先�(jìn)的制造工藝設(shè)�(jì),主要用于開(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器以及電機(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)用場(chǎng)�。該器件具有低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提高系�(tǒng)的效率并降低功�。此�,其封裝形式�(jīng)�(guò)�(yōu)�,具備良好的散熱性能,適用于高功率密度的�(shè)�(jì)需��
DMC3350LDW采用了N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管技�(shù),支持高頻工作模式,并且在高溫環(huán)境下依然可以保持�(wěn)定的性能表現(xiàn)�
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
最大漏源電�(Vds)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�41A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�3.5mΩ(典型�,Vgs=10V�(shí)�
柵極電荷(Qg)�57nC
輸入電容(Ciss)�1890pF
輸出電容(Coss)�115pF
反向傳輸電容(Crss)�11.5pF
�(jié)溫范�(Tj)�-55°C�+175°C
封裝形式:TO-263(DPAK)
DMC3350LDW的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電�,可有效減少傳導(dǎo)損�,提升系�(tǒng)效率�
2. 快速的�(kāi)�(guān)速度,支持高頻操�,有助于減小�(wú)源元件尺寸�
3. 高雪崩能�,能夠在異常條件下提供更好的保護(hù)�
4. �(nèi)置ESD保護(hù)電路,提高了�(chǎn)品的可靠性和耐用��
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(guó)際法�(guī)要求�
6. 良好的熱�(wěn)定�,在高溫�(huán)境下的性能依舊出色�
7. 封裝緊湊,易于集成到各種印刷電路板中,適合空間受限的�(yīng)用場(chǎng)��
DMC3350LDW廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的同步整流器�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器的核心功率開(kāi)�(guān)元件�
3. 各類電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,例如步�(jìn)電機(jī)或無(wú)刷直流電�(jī)控制�
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換和保護(hù)功能�
5. 電動(dòng)汽車及混合動(dòng)力汽車的電池管理系統(tǒng)(BMS)�
6. 充電�、適配器以及其他消費(fèi)類電子產(chǎn)品的高效功率�(zhuǎn)換方��
7. 太陽(yáng)能逆變器和�(chǔ)能系�(tǒng)中的功率管理模塊�
DMC3351LDS, DMC3352LDQ, IRFZ44N, FDP5500