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DHCE2656M 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/3 9:35:59 查看 閱讀�45

DHCE2656M是一款高性能、低功耗的CMOS靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM�,廣泛應(yīng)用于需要高速數(shù)�(jù)訪問(wèn)和可靠數(shù)�(jù)存儲(chǔ)的場(chǎng)�。該芯片采用先�(jìn)的制造工藝,確保了其在高頻率操作下的�(wěn)定性和可靠��
  該器件具有簡(jiǎn)單易用的控制接口,支持標(biāo)�(zhǔn)的存�(chǔ)器讀�(xiě)操作,并且具備自�(dòng)功率管理功能,可以有效降低能�。此外,DHCE2656M還集成了多種保護(hù)�(jī)�,例如數(shù)�(jù)保持和高速切換保�(hù),以確保�(shù)�(jù)完整��

參數(shù)

組織形式�512K x 16
  存儲(chǔ)容量�8Mbit
  �(shù)�(jù)寬度�16�
  工作電壓Vcc�1.7V~1.9V
  待機(jī)電流�5μA(典型值)
  工作電流�30mA(典型�,@100MHz�
  訪問(wèn)�(shí)間:5ns(最大值)
  封裝形式:TQFP-100
  工作溫度范圍�-40°C ~ +85°C
  輸入/輸出配置:SSTL-2兼容

特�

采用了先�(jìn)的CMOS工藝,具有極低的功耗和高密度的存儲(chǔ)單元�
  主要特點(diǎn)包括�
  1. 高速操作能力,支持高達(dá)200MHz的工作頻��
  2. �(shù)�(jù)保持功能,在低功耗模式下能夠保存�(shù)�(jù)而無(wú)需刷新�
  3. 自動(dòng)省電模式,當(dāng)�(shè)備處于空閑狀�(tài)�(shí)可顯著降低功��
  4. �(qiáng)大的抗靜電能�,HBM > 2000V�
  5. 支持突發(fā)模式操作,提高了�(shù)�(jù)傳輸效率�
  6. 完善的錯(cuò)誤檢�(cè)�(jī)�,保證了�(shù)�(jù)讀�(xiě)的準(zhǔn)確性�
  7. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)保�

�(yīng)�

適用于各種對(duì)速度和可靠性要求較高的�(yīng)用場(chǎng)�,如通信�(shè)備、網(wǎng)�(luò)交換�(jī)、路由器、工�(yè)控制、醫(yī)療設(shè)備以及高性能�(jì)算系�(tǒng)�。其大容量和快速訪�(wèn)的特�(diǎn)使其成為緩存存儲(chǔ)、臨�(shí)�(shù)�(jù)緩沖和高速數(shù)�(jù)處理的理想選��
  此外,它還可以用于圖像處理和視頻編碼解碼等領(lǐng)�,為這些需要實(shí)�(shí)處理大量�(shù)�(jù)的應(yīng)用提供可靠的存儲(chǔ)支持�

替代型號(hào)

IS61WV102416BLL-10TI
  CY7C1041DV33-10JC
  AS4C16M16SB-10TC

dhce2656m推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • �(xún)�(jià)