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DCV010512P-U 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/30 13:39:27 查看 閱讀�40

DCV010512P-U 是一款基于硅工藝制造的高壓 MOSFET 芯片,主要用于高電壓�(yīng)用場(chǎng)�。該芯片具有低導(dǎo)通電阻、高擊穿電壓和快速開(kāi)�(guān)特�,適合于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及工業(yè)控制等領(lǐng)域的�(yīng)�。其�(shè)�(jì)目標(biāo)是提供更高的效率和可靠性,同時(shí)減少系統(tǒng)的整體功��
  DCV010512P-U 屬于 N 溝道增強(qiáng)型器�,采用緊湊的表面貼裝封裝形式,便于集成到�(xiàn)代電子系�(tǒng)�。其出色的電氣性能和熱�(wěn)定性使其成為高性能電源�(zhuǎn)換和�(kāi)�(guān)電路的理想選��

參數(shù)

型號(hào):DCV010512P-U
  �(lèi)型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
  封裝:TO-263
  最大漏源電�(V_DS)�600V
  最大柵源電�(V_GS):�20V
  連續(xù)漏極電流(I_D)�4A
  �(dǎo)通電�(R_DS(on))�1.2Ω(典型�,在V_GS=10V�(shí)�
  總功�(P_TOT)�125W
  工作溫度范圍(T_J)�-55� � +175�

特�

1. 高擊穿電� (600V),確保在高電壓環(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
  2. 低導(dǎo)通電� (R_DS(on)),減少導(dǎo)通損耗并提高效率�
  3. 快速開(kāi)�(guān)能力,支持高頻操作,降低�(kāi)�(guān)損��
  4. �(nèi)� ESD 保護(hù)功能,增�(qiáng)器件的抗靜電能力�
  5. 支持高結(jié)溫工� (最高可�(dá) 175�),適�(yīng)惡劣�(huán)境�
  6. 表面貼裝封裝 (TO-263),簡(jiǎn)化安裝和散熱�(shè)�(jì)�
  7. 高可靠性和�(zhǎng)壽命,適用于�(yán)苛工�(yè)條件下的�(zhǎng)期運(yùn)行�

�(yīng)�

1. �(kāi)�(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率�(kāi)�(guān)�
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)控制�
  3. 工業(yè)�(shè)備中的負(fù)載切換和保護(hù)�
  4. 太陽(yáng)能逆變器和�(chǔ)能系�(tǒng)的功率管��
  5. 電動(dòng)汽車(chē) (EV) 和混合動(dòng)力汽�(chē) (HEV) 的電池管理系�(tǒng)�
  6. LED �(qū)�(dòng)器和固態(tài)照明系統(tǒng)的功率調(diào)節(jié)�
  7. 其他需要高效功率轉(zhuǎn)換和�(kāi)�(guān)控制的應(yīng)用場(chǎng)景�

替代型號(hào)

IRF840
  FDP18N60
  STP12NM60
  IXYS12N60E

dcv010512p-u推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
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  • �(lèi)�電源 - 板載
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