DCV010512P-U 是一款基于硅工藝制造的高壓 MOSFET 芯片,主要用于高電壓�(yīng)用場(chǎng)�。該芯片具有低導(dǎo)通電阻、高擊穿電壓和快速開(kāi)�(guān)特�,適合于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及工業(yè)控制等領(lǐng)域的�(yīng)�。其�(shè)�(jì)目標(biāo)是提供更高的效率和可靠性,同時(shí)減少系統(tǒng)的整體功��
DCV010512P-U 屬于 N 溝道增強(qiáng)型器�,采用緊湊的表面貼裝封裝形式,便于集成到�(xiàn)代電子系�(tǒng)�。其出色的電氣性能和熱�(wěn)定性使其成為高性能電源�(zhuǎn)換和�(kāi)�(guān)電路的理想選��
型號(hào):DCV010512P-U
�(lèi)型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
封裝:TO-263
最大漏源電�(V_DS)�600V
最大柵源電�(V_GS):�20V
連續(xù)漏極電流(I_D)�4A
�(dǎo)通電�(R_DS(on))�1.2Ω(典型�,在V_GS=10V�(shí)�
總功�(P_TOT)�125W
工作溫度范圍(T_J)�-55� � +175�
1. 高擊穿電� (600V),確保在高電壓環(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
2. 低導(dǎo)通電� (R_DS(on)),減少導(dǎo)通損耗并提高效率�
3. 快速開(kāi)�(guān)能力,支持高頻操作,降低�(kāi)�(guān)損��
4. �(nèi)� ESD 保護(hù)功能,增�(qiáng)器件的抗靜電能力�
5. 支持高結(jié)溫工� (最高可�(dá) 175�),適�(yīng)惡劣�(huán)境�
6. 表面貼裝封裝 (TO-263),簡(jiǎn)化安裝和散熱�(shè)�(jì)�
7. 高可靠性和�(zhǎng)壽命,適用于�(yán)苛工�(yè)條件下的�(zhǎng)期運(yùn)行�
1. �(kāi)�(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率�(kāi)�(guān)�
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)控制�
3. 工業(yè)�(shè)備中的負(fù)載切換和保護(hù)�
4. 太陽(yáng)能逆變器和�(chǔ)能系�(tǒng)的功率管��
5. 電動(dòng)汽車(chē) (EV) 和混合動(dòng)力汽�(chē) (HEV) 的電池管理系�(tǒng)�
6. LED �(qū)�(dòng)器和固態(tài)照明系統(tǒng)的功率調(diào)節(jié)�
7. 其他需要高效功率轉(zhuǎn)換和�(kāi)�(guān)控制的應(yīng)用場(chǎng)景�
IRF840
FDP18N60
STP12NM60
IXYS12N60E