D6PE2G132P3DWBZ 是一款高性能� MOSFET 功率晶體�,采� TO-263 封裝形式。該器件廣泛應用于開�(guān)電源、電機驅(qū)�、負載開�(guān)以及其他功率�(zhuǎn)換電路中。其設計旨在提供高效率和低導通電�,從而減少功率損耗并提高系統(tǒng)性能�
這款 MOSFET 屬于 N 溝道增強型器�,具備快速開�(guān)特性和低柵極電荷,非常適合高頻應用�(huán)�。此�,它還具有出色的熱穩(wěn)定性和抗靜電能力(ESD 保護),能夠適應嚴苛的工作條��
類型:N溝道增強型MOSFET
封裝:TO-263
VDS(漏源極電壓):100V
RDS(on)(導通電阻)�132mΩ
ID(連續(xù)漏極電流):45A
Qg(總柵極電荷):38nC
fT(截止頻率)�1.7MHz
VGS(th)(柵源開啟電壓)�2V~4V
Tj(工作結(jié)溫范圍)�-55℃~175�
D6PE2G132P3DWBZ 的主要特性包括:
1. 極低的導通電� RDS(on),有助于降低傳導損�,提升整體效��
2. 快速開�(guān)速度,得益于較低的柵極電� Qg 和較高的 fT ��
3. 高度可靠的設計,支持高達 175� 的結(jié)溫操��
4. 提供強大的過流能力和�(wěn)健的電氣性能,確保在各種負載條件下穩(wěn)定運行�
5. �(nèi)� ESD 保護功能,增強了�(chǎn)品的耐用��
6. 符合 RoHS 標準,綠色環(huán)��
該芯片適用于以下領域�
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的功率開�(guān)�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的同步整流元件�
3. 電機�(qū)動電路中的功率級控制�
4. 工業(yè)設備中的負載開關(guān)和保護電��
5. 電池管理系統(tǒng)中的充放電路徑管理�
6. 汽車電子中的繼電器替代方��
7. 各類消費電子�(chǎn)品中的高效功率轉(zhuǎn)換模��
D6PE2G132P3DWBT, IRFZ44N, FDP18N10