日韩欧美国产极速不卡一区,国产手机视频在线观看尤物,国产亚洲欧美日韩蜜芽一区,亚洲精品国产免费,亚洲二区三区无码中文,A大片亚洲AV无码一区二区三区,日韩国语国产无码123

您好,歡迎來到維庫電子市場網(wǎng) 登錄 | 免費注冊

您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > D45VH10G

D45VH10G 發(fā)布時間 時間�2024/1/24 15:53:52 查看 閱讀�375

D45VH10G是一款由ON Semiconductor生產(chǎn)的NPN型雙極功率晶體管。這款晶體管專為高速開�(guān)�(shè)�,能夠處理中等電壓和電流,適用于多種功率放大和開�(guān)�(yīng)�。D45VH10G可以在高頻下工作,使其成為音頻放大器、開�(guān)電源和馬�(dá)�(qū)動等�(yīng)用的理想選擇�
在技�(shù)�(guī)格方�,D45VH10G通常具有以下特點:較高的集電�-�(fā)射極電壓(VCEO),通常在幾十伏特的范圍�(nèi),集電極電流(IC)在幾安培的量級,以及適度的功�。此外,它也可能具備良好的飽和電壓特性和快速的開關(guān)速度�
D45VH10G的封裝通常是TO-220,這是一種常見的功率晶體管封�,能夠提供足夠的散熱性能。這種晶體管在商用和工�(yè)市場都有廣泛的應(yīng)�,被�(shè)計用于在高效率和可靠性要求的系統(tǒng)中提供穩(wěn)定的功率控制�

參數(shù)

最大集電極電壓(VCEO):晶體管可以承受的最大集電極正電��
  最大集電流(IC):晶體管可承受的最大直流集電流�
  最大功耗(Ptot):晶體管在正常工作條件下能夠承受的最大功��
  飽和電壓(VCEsat):在飽和狀�(tài)�,集電極和發(fā)射極之間的電壓降�
  直流功耗(PD):晶體管在靜態(tài)工作條件下消耗的功率�
  最大頻率(fT):晶體管可工作的最大頻��

組成�(jié)�(gòu)

NPN型雙極功率晶體管主要由三個區(qū)域組成:�(fā)射區(qū)、基區(qū)和集電區(qū)。發(fā)射區(qū)及集電區(qū)為P型半�(dǎo)體材�,基區(qū)為N型半�(dǎo)體材�。這些區(qū)域的不同摻雜形成了PN�(jié)。晶體管還包括兩個金屬電極:�(fā)射極,用來輸送電�;集電極,用來收集電��

工作原理

�(dāng)�(fā)射極與基極之間施加了正向偏壓,通過�(fā)射結(jié)注入電流。這會�(dǎo)致發(fā)射區(qū)�(chǎn)生多�(shù)載流子(電子�。當(dāng)基極與集電極之間施加一個正向偏壓時,多�(shù)載流子由基區(qū)�(jìn)入集電區(qū),形成集電流。晶體管的放大性能是通過控制基極電流來實�(xiàn)的�

技�(shù)要點

確保適當(dāng)?shù)墓ぷ鳒囟确秶�?nèi)使用晶體��
  通過正確的供電電壓和電流限制以及合適的散熱系�(tǒng),確保晶體管工作在其額定參數(shù)范圍�(nèi)�
  注意使用適當(dāng)?shù)�?fù)載匹配電路,以避免功率損耗和失真�
  在設(shè)計電路時,考慮到晶體管的飽和特性和頻率響應(yīng),并確保選取適當(dāng)?shù)墓ぷ鼽c�

�(shè)計流�

確定所需的功率和電流放大系數(shù)�
  根據(jù)需求選擇適�(dāng)?shù)木w管型�,查找相�(guān)的參�(shù)與指�(biāo)�
  使用合適的負(fù)載線路,�(shè)計輸入和輸出匹配電路�
  考慮電路的工作溫度范圍,并選擇合適的散熱方案�
  �(jìn)行模擬或�(shù)字電路仿�,檢驗電路性能�

常見故障及預(yù)防措�

NPN型雙極功率晶體管是一種常見的半導(dǎo)體器件,用于控制和放大電�。雖然它們在電子�(shè)備中廣泛使用,但偶爾會出�(xiàn)故障。下面是NPN型雙極功率晶體管的常見故障及�(yù)防措施:
  1、短路故障:�(dāng)NPN型雙極功率晶體管�(fā)生短路時,電流將繞過器件并損壞其他部�。這可能是由于過高的功�、超過最大額定電�、溫度過高或封裝損壞等原因引起的。為了預(yù)防短路故�,應(yīng)確保在正常操作范圍內(nèi)使用晶體�,并避免超過其額定參�(shù)�
  2、開路故障:�(dāng)NPN型雙極功率晶體管�(fā)生開路時,無法�(jìn)行電流放大或控制。開路故障可能是由于器件損壞、連接錯誤或焊接不良等原因引起�。要防止開路故障,應(yīng)注意正確連接器件,并確保焊接�(zhì)量良��
  3、過熱故障:�(dāng)NPN型雙極功率晶體管過熱�,其性能可能會下降甚至損�。過熱通常是由于過高的電流、不適當(dāng)?shù)纳嵩O(shè)計或�(huán)境溫度過高引起的。為了預(yù)防過熱故�,應(yīng)確保在器件的額定工作條件下操�,并采取適當(dāng)?shù)纳岽胧?,如使用散熱片或�(fēng)扇�(jìn)行散��
  4、靜電放電故障:靜電放電可能�(dǎo)致NPN型雙極功率晶體管損壞或臨時失�。為了預(yù)防靜電放電故障,�(yīng)采取適當(dāng)?shù)姆漓o電措�,如穿戴防靜電手�、使用防靜電墊和遵循正確的靜電防護程��
  5、過壓故障:�(dāng)NPN型雙極功率晶體管受到過高的電壓沖擊時,可能會損壞或擊�。為了預(yù)防過壓故障,�(yīng)確保供電電壓在器件的額定范圍�(nèi),并使用過壓保護電路或元件�

d45vh10g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

d45vh10g資料 更多>

  • 型號
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載

d45vh10g參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝50
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭晶體�(BJT) - 單路
  • 系列-
  • 晶體管類�PNP
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大)15A
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)80V
  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大)1V @ 800mA�8A
  • 電流 - 集電極截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增� (hFE)20 @ 4A�1V
  • 功率 - 最�83W
  • 頻率 - �(zhuǎn)�50MHz
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�TO-220AB
  • 包裝管件
  • 其它名稱D45VH10GOS