D3S5M是一種高性能的功率MOSFET器件,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機驅(qū)動和逆變器等�(lǐng)域。該器件采用先進的半導(dǎo)體制造工�,具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的電流承載能�,能夠在高頻條件下提供高效的電力�(zhuǎn)換性能�
該器件的工作電壓范圍較寬,能夠適�(yīng)多種電路需�。同時,其封裝形式設(shè)計緊�,便于在高密度電路板上進行布局和安��
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�120A
�(dǎo)通電阻:1.2mΩ
柵極電荷�75nC
總電容:1200pF
功耗:180W
工作溫度范圍�-55℃至150�
具有低導(dǎo)通電阻的特點,這使得它在大電流�(yīng)用中能夠顯著降低功率損耗。此�,其快速開�(guān)特性和低柵極電荷使其非常適合高頻開�(guān)�(yīng)��
器件還具備良好的熱穩(wěn)定�,在高溫�(huán)境下仍能保持可靠的性能。另�,它的抗靜電能力較強,能夠有效防止因靜電放電引起的損��
D3S5M采用了先進的封裝技�(shù),確保了電氣連接的可靠性和散熱性能的優(yōu)�。這些特點使它成為工業(yè)級和汽車級應(yīng)用的理想選擇�
主要�(yīng)用于需要高效功率轉(zhuǎn)換和高電流承載能力的場景,例如電動汽車的電機控制器、太陽能逆變�、不間斷電源(UPS)系�(tǒng)以及各種類型的DC-DC�(zhuǎn)換器�
此外,它也常用于消費電子�(chǎn)品的快速充電適配器和筆記本電腦電源適配器中,以實現(xiàn)更高的充電效率和更小的體積設(shè)��
由于其出色的性能和可靠�,該器件還可用于工業(yè)自動化設(shè)備中的伺服驅(qū)動器和機器人控制系統(tǒng)等關(guān)鍵部位�
D3S5H, D4S6M, IRF3205