容量：1K x 8位
　　工作電壓：4.5V 至 5.5V
　　訪問(wèn)時(shí)間：45ns
　　封裝形式：44-Pin Plastic Quad Flat Pack (PQFP)
　　工作溫度范圍：0°C 至 70°C
　　引腳數(shù)：44
　　最大功耗：350mW

CY7C266-45WMB的主要特性包括高速存取能力、低功耗設(shè)計(jì)以及高度可靠的性能。其45ns的訪問(wèn)時(shí)間使其非常適合實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)處理的應(yīng)用場(chǎng)景。
　　此外，該芯片使用了成熟的CMOS工藝，能夠有效降低功耗并提高穩(wěn)定性。芯片支持異步操作模式，簡(jiǎn)化了與微處理器或其他外設(shè)之間的接口設(shè)計(jì)。
　　它的封裝形式為PQFP，這種封裝方式不僅提高了散熱性能，還增強(qiáng)了電氣連接的可靠性。
　　在數(shù)據(jù)保持方面，即使在掉電的情況下，通過(guò)外部電池供電，CY7C266-45WMB可以繼續(xù)保存數(shù)據(jù)，確保關(guān)鍵信息不丟失。
　　總的來(lái)說(shuō)，CY7C266-45WMB是一款高性能、高可靠性的SRAM，廣泛適用于各類對(duì)速度和穩(wěn)定性要求較高的應(yīng)用場(chǎng)合。

CY7C266-45WMB常用于需要高速數(shù)據(jù)存取的領(lǐng)域，例如工業(yè)控制設(shè)備、通信網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、醫(yī)療儀器以及消費(fèi)類電子產(chǎn)品等。
　　在工業(yè)自動(dòng)化領(lǐng)域，它可以作為緩存存儲(chǔ)器或臨時(shí)數(shù)據(jù)緩沖區(qū)，提升系統(tǒng)的響應(yīng)速度和效率。在通信領(lǐng)域，CY7C266-45WMB可用于路由器、交換機(jī)等設(shè)備中的數(shù)據(jù)包緩存功能。
　　此外，在消費(fèi)電子領(lǐng)域，如數(shù)碼相機(jī)、打印機(jī)等設(shè)備中，也可以利用該芯片進(jìn)行圖像處理或打印任務(wù)時(shí)的數(shù)據(jù)暫存。總之，CY7C266-45WMB憑借其高性能和可靠性，成為眾多嵌入式系統(tǒng)中的理想選擇。

CY7C266-55WMB
　　CY7C266-65WMB
　　CY7C266-85WMB