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CY7C1418KV18-250BZXC 發(fā)布時間 時間:2025/5/23 22:00:03 查看 閱讀:6

CY7C1418KV18-250BZXC 是 Cypress 公司生產(chǎn)的高性能靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM),具有高速、低功耗的特點,廣泛應用于需要高數(shù)據(jù)吞吐量和快速訪問時間的系統(tǒng)中。該器件采用 CMOS 工藝制造,提供大容量的數(shù)據(jù)存儲能力,同時確保了穩(wěn)定性和可靠性。
  該型號為 1M x 18 的 SRAM 芯片,支持同步突發(fā)模式,具備自動預充電功能,能夠有效提高系統(tǒng)的運行效率。此外,它還支持多種工作模式,包括字節(jié)寫入、塊寫入等,適用于各種復雜的應用場景。

參數(shù)

容量:1M x 18位
  存儲密度:18Mb
  核心電壓:1.8V
  I/O 電壓:1.8V/2.5V/3.3V
  訪問時間:25ns
  數(shù)據(jù)保持時間:無限
  工作溫度范圍:-40°C 至 +85°C
  封裝類型:BGA (Ball Grid Array)
  引腳數(shù):169
  時鐘頻率:高達 400 MHz

特性

1. 高速性能:CY7C1418KV18-250BZXC 支持 25ns 的快速訪問時間,滿足實時應用的需求。
  2. 多電壓支持:該芯片支持核心電壓為 1.8V 和 I/O 多種電壓選項(1.8V、2.5V、3.3V),方便與不同系統(tǒng)接口兼容。
  3. 同步突發(fā)模式:通過啟用同步突發(fā)功能,可以減少延遲并提高數(shù)據(jù)傳輸速率。
  4. 自動預充電:內(nèi)置自動預充電功能,簡化了外部控制邏輯的設計。
  5. 低功耗設計:在待機模式下功耗極低,非常適合對能效要求較高的設備。
  6. 寬溫范圍:能夠在工業(yè)級溫度范圍內(nèi)可靠運行,適應各種環(huán)境條件。

應用

CY7C1418KV18-250BZXC 主要應用于需要高帶寬和快速響應的場景,例如:
  1. 網(wǎng)絡通信設備:路由器、交換機等需要快速處理大量數(shù)據(jù)包的設備。
  2. 圖形處理單元:用于圖像渲染、視頻編輯等工作站或高性能計算平臺。
  3. 嵌入式系統(tǒng):如工業(yè)自動化控制器、醫(yī)療成像設備等。
  4. 軍事及航空航天領域:對可靠性和速度有極高要求的特殊應用。
  5. 游戲機和其他消費類電子產(chǎn)品:提供流暢的游戲體驗和多媒體處理能力。

替代型號

CY7C1418KV18-250ACZC, CY7C1418KV18-250AZXC

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cy7c1418kv18-250bzxc參數(shù)

  • 數(shù)據(jù)列表CY7C14(16,18,20,27)KV18
  • 標準包裝136
  • 類別集成電路 (IC)
  • 家庭存儲器
  • 系列-
  • 格式 - 存儲器RAM
  • 存儲器類型SRAM - 同步,DDR II
  • 存儲容量36M(2M x 18)
  • 速度250MHz
  • 接口并聯(lián)
  • 電源電壓1.7 V ~ 1.9 V
  • 工作溫度0°C ~ 70°C
  • 封裝/外殼165-LBGA
  • 供應商設備封裝165-FBGA(13x15)
  • 包裝托盤