CUS357 H3LCFCF(T) 是一種基于硅工藝制造的高壓功率MOSFET芯片,主要用于開關電源、DC-DC轉換器和電機驅動等應�。該芯片采用先進的封裝技�,具備較低的導通電阻和較高的效�,同時在高頻開關條件下表�(xiàn)出優(yōu)異的性能�
這種元器件適合用于需要高效率和低功耗的設計場景,廣泛應用于消費電子、工�(yè)控制以及汽車電子領域�
最大漏源電壓:650V
連續(xù)漏極電流�7A
導通電阻:0.18Ω
柵極電荷�25nC
總電容:1200pF
工作溫度范圍�-55℃至175�
CUS357 H3LCFCF(T) 具有以下關鍵特性:
1. 高耐壓能力,能夠承受高�650V的漏源電�,適用于多種高壓應用場景�
2. 極低的導通電阻(0.18Ω),顯著降低導通損�,提高整體系�(tǒng)效率�
3. �(yōu)化的開關性能,具有較小的柵極電荷和輸出電�,有助于減少開關損耗�
4. 良好的熱�(wěn)定�,在高溫�(huán)境下仍能保持�(wěn)定的性能表現(xiàn)�
5. 小型化封裝設�,節(jié)省電路板空間并簡化布局設計�
該芯片適用于多種電力電子設備�,包括但不限于以下應用:
1. 開關電源(SMPS�
2. DC-DC轉換�
3. 電機驅動�
4. 逆變�
5. 工業(yè)控制設備中的功率調節(jié)模塊
6. 汽車電子系統(tǒng)的輔助供電單�
由于其出色的性能和可靠性,CUS357 H3LCFCF(T) 成為許多高效�、緊湊型設計的理想選��
IRF840, STP7NK65Z, FDP18N65C