型號(hào)：CST0650F-R82M
　　類型：GaN HEMT
　　工作頻率范圍：0.1 GHz - 6 GHz
　　輸出功率（Psat）：43 dBm
　　增益：12 dB
　　效率：大于65%
　　漏極電壓（Vd）：28 V
　　柵極電壓（Vgs）：-2.5 V 至 0 V
　　最大電流：7 A
　　封裝形式：表面貼裝（SMD）
　　工作溫度范圍：-55°C 至 +105°C

CST0650F-R82M 具有以下顯著特性：
　　1. 高效功率輸出：能夠在寬廣的頻率范圍內(nèi)提供高達(dá) 43 dBm 的輸出功率，適合需要大功率傳輸?shù)膽?yīng)用。
　　2. 卓越的增益性能：在目標(biāo)頻率范圍內(nèi)提供穩(wěn)定的 12 dB 增益，確保信號(hào)質(zhì)量。
　　3. 熱管理優(yōu)化：采用散熱增強(qiáng)型封裝設(shè)計(jì)，有助于提升長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行的可靠性。
　　4. 高頻率覆蓋：支持從低頻到高頻（最高達(dá) 6 GHz）的廣泛操作，適用于多種射頻場(chǎng)景。
　　5. 小型化設(shè)計(jì)：表面貼裝封裝使其易于集成到緊湊型電路板中。
　　6. 耐用性強(qiáng)：支持較寬的工作溫度范圍，適應(yīng)極端環(huán)境條件。

CST0650F-R82M 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. 無線通信基站：提供高功率放大功能以支持更廣的信號(hào)覆蓋范圍。
　　2. 雷達(dá)系統(tǒng)：滿足現(xiàn)代相控陣?yán)走_(dá)對(duì)高效率和高頻性能的需求。
　　3. 測(cè)試與測(cè)量設(shè)備：用于生成精確且穩(wěn)定的高頻信號(hào)。
　　4. 工業(yè)、科學(xué)和醫(yī)療 (ISM) 設(shè)備：支持高頻能量傳輸及處理任務(wù)。
　　5. 衛(wèi)星通信：助力實(shí)現(xiàn)高效的信號(hào)發(fā)射和接收。

CST0650F-R80M
　　CST0650F-R85M