時間：2025/5/28 21:28:11
閱讀：6
CST0420T-R47M 是一款基于氮化鎵（GaN）技術(shù)的高頻功率晶體管，專為射頻和微波應(yīng)用設(shè)計(jì)。該型號采用先進(jìn)的封裝技術(shù)，提供卓越的輸出功率、增益和效率。其工作頻率范圍廣，適合于基站、雷達(dá)系統(tǒng)以及衛(wèi)星通信等領(lǐng)域。該器件具有高線性度和低失真特性，能夠在高頻條件下保持穩(wěn)定的性能表現(xiàn)。
此晶體管的核心優(yōu)勢在于其出色的耐壓能力、快速開關(guān)速度以及較低的導(dǎo)通電阻，這使得它在高效能轉(zhuǎn)換器和放大器中表現(xiàn)出色。
型號：CST0420T-R47M
類型：GaN HEMT
封裝：TO-252 (DPAK)
額定電壓：100V
額定電流：4A
導(dǎo)通電阻：47mΩ
最大工作頻率：3GHz
增益：18dB
輸出功率：50W
插入損耗：≤1.2dB
存儲溫度范圍：-55℃ 至 +150℃
工作溫度范圍：-40℃ 至 +125℃
CST0420T-R47M 的主要特性包括：
1. 高效的功率轉(zhuǎn)換：得益于 GaN 技術(shù)，該晶體管在高頻下能夠?qū)崿F(xiàn)極高的效率，減少能量損耗。
2. 穩(wěn)定的性能：即使在極端環(huán)境溫度下，也能保持穩(wěn)定的輸出。
3. 低寄生電感：優(yōu)化的內(nèi)部結(jié)構(gòu)大幅降低了寄生電感，從而改善了高頻條件下的開關(guān)特性。
4. 快速開關(guān)時間：具備非常短的開啟和關(guān)閉時間，適合要求嚴(yán)苛的應(yīng)用場景。
5. 小型封裝：盡管性能強(qiáng)大，但其體積緊湊，便于集成到各類復(fù)雜電路中。
6. 寬帶支持：能夠覆蓋較寬的工作頻率范圍，適用于多種不同的無線通信協(xié)議。
CST0420T-R47M 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
1. 射頻功率放大器：
用于提高信號強(qiáng)度，確保長距離傳輸?shù)目煽啃浴?br> 2. 基站設(shè)備：
為 4G/5G 通信基礎(chǔ)設(shè)施提供高效的功率處理能力。
3. 航空航天與國防：
如相控陣?yán)走_(dá)、電子對抗系統(tǒng)等，需要高性能射頻組件的場合。
4. 工業(yè)加熱設(shè)備：
例如等離子體發(fā)生器或工業(yè)微波爐中的功率模塊。
5. 醫(yī)療設(shè)備：
某些醫(yī)療成像系統(tǒng)可能需要用到這種高頻功率晶體管。
CST0420T-R50M, CST0420T-R60M
