CSSP-BGFDN120-6576 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應(yīng)用于高頻開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)動、DC-DC�(zhuǎn)換器以及�(fù)載開�(guān)等領(lǐng)�。該器件采用了先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,從而提升了效率并降低了功率損耗�
這款功率MOSFET支持高電流應(yīng)�,其封裝�(shè)計優(yōu)化了散熱性能,適合在緊湊型設(shè)計中使用,同時滿足對高效能和小型化的需��
最大漏源電壓:650V
連續(xù)漏極電流�12A
�(dǎo)通電阻:350mΩ
柵極電荷�45nC
開關(guān)速度:快�
工作溫度范圍�-55� � +150�
封裝類型:TO-220
CSSP-BGFDN120-6576 具有以下顯著特性:
1. 高擊穿電�,能夠承受高�(dá)650V的漏源電�,適用于高壓�(huán)境下的多種應(yīng)用場景�
2. 極低的導(dǎo)通電�,僅�350mΩ,在大電流應(yīng)用中可以顯著降低功�,提升整體系�(tǒng)效率�
3. 快速開�(guān)能力,具備較小的柵極電荷�45nC�,可�(shí)�(xiàn)高頻操作,非常適合開�(guān)電源和高頻逆變器等場景�
4. 寬工作溫度范圍,�-55℃到+150�,保證了在極端條件下的穩(wěn)定性和可靠性�
5. 采用TO-220封裝形式,這種封裝提供了良好的散熱性能,同時易于安裝和集成到各種電路板�(shè)計中�
6. 具備較高的抗雪崩能力,能夠在異常條件下提供額外保�(hù)�
CSSP-BGFDN120-6576 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)設(shè)�,包括適配器、充電器和工�(yè)電源等�
2. 電機(jī)�(qū)動控�,適用于家用電器、工�(yè)�(shè)備中的無刷直流電�(jī)(BLDC)和步�(jìn)電機(jī)�
3. DC-DC�(zhuǎn)換器,用于汽車電子、通信基站和其他需要高效電壓轉(zhuǎn)換的�(yīng)��
4. �(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路,確保電路的安全性和�(wěn)定性�
5. 太陽能逆變器和儲能系統(tǒng)中的功率管理模塊�
CSSP-BGFDN120-6578
CSSP-BGFDN120-6580
FDP12N65S
IRFP460