CSPEMI201AR是一款高性能的MOSFET功率晶體�,采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn)。這款器件廣泛�(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及各種工業(yè)電子�(shè)備中。其封裝形式緊湊,適合需要高效能和小型化的應(yīng)用場(chǎng)��
該MOSFET屬于N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體�,適用于廣泛的電壓和電流范圍�(nèi)的電路設(shè)�(jì)。通過(guò)�(yōu)化的�(jié)�(gòu)�(shè)�(jì),能夠提供較低的�(dǎo)通損耗和�(kāi)�(guān)損耗,從而提升整體系�(tǒng)的效��
型號(hào):CSPEMI201AR
類型:N溝道MOSFET
最大漏源電�(Vds)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�94A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�1.3mΩ
功�(Pd)�180W
�(jié)溫范�(Tj)�-55℃至+175�
封裝形式:TO-263
CSPEMI201AR具有以下主要特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻Rds(on),可有效減少傳導(dǎo)損�,提高系�(tǒng)效率�
2. 高電流承載能�,支持高�(dá)94A的連續(xù)漏極電流�
3. 快速開(kāi)�(guān)性能,適用于高頻�(kāi)�(guān)�(yīng)��
4. 耐熱增強(qiáng)型封�,有助于改善散熱性能�
5. 寬工作溫度范�,能夠在極端�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛設(shè)�(jì)�
這些特性使得CSPEMI201AR在需要高效率和高可靠性的�(yīng)用中表現(xiàn)出色�
CSPEMI201AR適用于以下應(yīng)用場(chǎng)景:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的功率�(zhuǎn)換模��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的同步整流電路�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)器中的功率級(jí)控制�
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切��
5. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的保護(hù)電路�
6. 其他需要高效功率處理的電子系統(tǒng)�
由于其出色的電氣性能和熱性能,CSPEMI201AR成為眾多功率�(yīng)用的理想選擇�
CSPEMI201AS, IRF260N, FDP18N60