CSD97376Q4M是德州儀器(TI)推出的一款先�(jìn)的功率級(jí)氮化鎵(GaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET�。該器件采用增強(qiáng)型GaN技�(shù),旨在為高頻�(kāi)�(guān)�(yīng)用提供卓越的效率和性能。其�(shè)�(jì)特別適合于電源管�、DC-DC�(zhuǎn)換器以及需要高效能和高頻率�(yùn)行的�(chǎng)��
CSD97376Q4M通過(guò)將低�(dǎo)通電阻與快速開(kāi)�(guān)特性相�(jié)合,能夠顯著減少功率損耗并提高系統(tǒng)整體效率。同�(shí),它還具備出色的熱性能和可靠�,適用于要求�(yán)苛的工業(yè)和消�(fèi)�(lèi)電子�(lǐng)��
型號(hào):CSD97376Q4M
�(lèi)型:增強(qiáng)型GaN FET
封裝:LLP8
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):40mΩ
擊穿電壓(Vds):150V
柵極�(qū)�(dòng)電壓(Vgs):4.5V�6V
連續(xù)漏極電流(Id):16A
工作溫度范圍�-55℃至+150�
CSD97376Q4M的主要特性包括:
1. 低導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有助于降低傳導(dǎo)損�,提升系�(tǒng)效率�
2. 快速開(kāi)�(guān)速度,支持高頻操作,從而減小無(wú)源元件尺��
3. 高擊穿電壓(Vds),確保在各種條件下�(wěn)定運(yùn)��
4. 良好的熱性能,能夠在高溫�(huán)境下保持可靠的性能表現(xiàn)�
5. 兼容�(biāo)�(zhǔn)邏輯電平�(qū)�(dòng)信號(hào),簡(jiǎn)化電路設(shè)�(jì)�
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)��
這些特性使CSD97376Q4M成為高性能電源解決方案的理想選��
CSD97376Q4M廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器
3. 圖形處理器(GPU)供電模�
4. 通信�(shè)備中的高效電�
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的電源管�
6. 消費(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)品中的充電解決方�
由于其高效的能量�(zhuǎn)換能力和緊湊的設(shè)�(jì),這款器件非常適合�(duì)空間和效率有�(yán)格要求的�(yīng)用場(chǎng)��
CSD97375Q4M
CSD97377Q4M