CSD95496QVM是德州儀器(TI)推出的一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高集成度功率級芯片。它將高性能的GaN FET與優(yōu)化的�(qū)動器集成在一�(gè)小型封裝�,適用于高效�、高頻開�(guān)的應(yīng)用場�,例如數(shù)�(jù)中心電源、服�(wù)器電�、通信電源和工�(yè)�(zhuǎn)換器�。該器件具有極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on))和快速開�(guān)性能,能夠顯著提高系�(tǒng)效率并減少散熱需��
型號:CSD95496QVM
類別:GaN功率級芯�
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):30mΩ(典型值,25°C�
額定電壓�600V
連續(xù)漏極電流�12A
封裝形式:QFN-8x8mm
工作溫度范圍�-55°C � +150°C
柵極電荷�7.5nC(典型值)
反向恢復(fù)電荷:無(由于GaN特性)
開關(guān)頻率:支持高�(dá)MHz�
輸入信號兼容性:�(biāo)�(zhǔn)CMOS/TTL
CSD95496QVM采用了先�(jìn)的GaN技�(shù),具備以下關(guān)鍵特性:
1. 高效性能:其極低的導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度可顯著降低傳�(dǎo)損耗和開關(guān)損��
2. 高頻操作能力:支持高�(dá)MHz級別的開�(guān)頻率,使得設(shè)�(jì)更緊湊并減少磁性元件體��
3. 集成�(shè)�(jì):將GaN FET和驅(qū)動器集成在一起,簡化了電路設(shè)�(jì),減少了外圍元件�(shù)��
4. 熱性能�(yōu)異:通過低熱阻封裝設(shè)�(jì),能夠有效管理熱��
5. 高可靠性:�(jīng)過嚴(yán)格測�,能夠在惡劣�(huán)境下保持�(wěn)定運(yùn)��
6. 易于使用:兼容標(biāo)�(zhǔn)CMOS/TTL邏輯電平輸入信號,便于與�(xiàn)有控制器配合使用�
CSD95496QVM廣泛�(yīng)用于需要高效率和高功率密度的領(lǐng)�,包括但不限于:
1. �(shù)�(jù)中心和服�(wù)器電源供�(yīng)器(PSU��
2. 通信�(shè)備中的AC/DC和DC/DC�(zhuǎn)換器�
3. 工業(yè)自動化設(shè)備中的高效能電源模塊�
4. 充電器及適配器設(shè)�(jì)�
5. 汽車電子中的OBC(車載充電器)和其他高壓�(yīng)用�
6. 能源存儲系統(tǒng)的功率轉(zhuǎn)換部��
這款器件特別適合追求高效率、小尺寸和低成本的設(shè)�(jì)方案�
CSD95497Q5M