CSD95372AQ5M是德州儀器(TI)推出的基于氮化鎵(GaN)技術的高效�、高性能半橋功率級器�。它集成了一個高端和低端氮化鎵場效應晶體管(eGaN FET�,以及專用驅動器,專為高頻開關應用而設�,例如服務器電源、電信整流器、電機驅動器和DC-DC轉換器等。該器件采用QFN封裝,具備低寄生電感和優(yōu)化的熱性能,可顯著提高系統(tǒng)的功率密度和效率�
其主要特點包括:低導通電阻(Rds(on)�、快速開關速度、較低的柵極電荷以及內置的自舉二極管,從而簡化了電路設計并減少了外圍元件的數(shù)��
型號:CSD95372AQ5M
類型:半橋功率級
技術:GaN(氮化鎵�
封裝:QFN-10
工作電壓范圍�10V - 60V
高端Rds(on)�8.5mΩ(典型值,@Vgs=6V�
低端Rds(on)�4.5mΩ(典型�,@Vgs=6V�
最大漏源電壓(Vds):100V
最高工作溫度:150°C
柵極驅動電壓范圍�4.5V - 6V
連續(xù)漏極電流(Id):20A(典型值)
CSD95372AQ5M具有以下關鍵特性:
1. 高效的氮化鎵技�,能夠實�(xiàn)比傳�(tǒng)硅基MOSFET更高的開關頻率和更低的損��
2. 內置自舉二極�,減少了外部元件的需�,從而簡化了電路設計�
3. �(yōu)化的QFN封裝,提供低寄生電感和出色的散熱性能�
4. 半橋拓撲結構,適合各種高頻DC-DC轉換應用�
5. 極低的導通電阻和柵極電荷,有助于降低傳導和開關損耗�
6. 支持高達150°C的工作溫�,增強了器件在高溫環(huán)境下的可靠��
這些特性使得CSD95372AQ5M成為高效電源系統(tǒng)中的理想選擇�
CSD95372AQ5M適用于以下應用場景:
1. �(shù)�(jù)中心和通信設備中的高效DC-DC轉換��
2. 電信整流器和基站電源�
3. 高頻諧振轉換�,如LLC或CLLC拓撲�
4. 工業(yè)電機驅動和逆變器控制�
5. 高功率密度AC-DC適配��
6. 電動汽車充電站和其他需要高效功率轉換的場合�
由于其高效率和高頻性能,這款器件非常適合需要小尺寸和高功率密度的設��
CSD95373KCS
CSD95371KCS
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