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您所在的位置�電子元器件采購網 > IC百科 > CSD95372AQ5M

CSD95372AQ5M 發(fā)布時間 時間�2025/5/6 16:10:31 查看 閱讀�34

CSD95372AQ5M是德州儀器(TI)推出的基于氮化鎵(GaN)技術的高效�、高性能半橋功率級器�。它集成了一個高端和低端氮化鎵場效應晶體管(eGaN FET�,以及專用驅動器,專為高頻開關應用而設�,例如服務器電源、電信整流器、電機驅動器和DC-DC轉換器等。該器件采用QFN封裝,具備低寄生電感和優(yōu)化的熱性能,可顯著提高系統(tǒng)的功率密度和效率�
  其主要特點包括:低導通電阻(Rds(on)�、快速開關速度、較低的柵極電荷以及內置的自舉二極管,從而簡化了電路設計并減少了外圍元件的數(shù)��

參數(shù)

型號:CSD95372AQ5M
  類型:半橋功率級
  技術:GaN(氮化鎵�
  封裝:QFN-10
  工作電壓范圍�10V - 60V
  高端Rds(on)�8.5mΩ(典型值,@Vgs=6V�
  低端Rds(on)�4.5mΩ(典型�,@Vgs=6V�
  最大漏源電壓(Vds):100V
  最高工作溫度:150°C
  柵極驅動電壓范圍�4.5V - 6V
  連續(xù)漏極電流(Id):20A(典型值)

特�

CSD95372AQ5M具有以下關鍵特性:
  1. 高效的氮化鎵技�,能夠實�(xiàn)比傳�(tǒng)硅基MOSFET更高的開關頻率和更低的損��
  2. 內置自舉二極�,減少了外部元件的需�,從而簡化了電路設計�
  3. �(yōu)化的QFN封裝,提供低寄生電感和出色的散熱性能�
  4. 半橋拓撲結構,適合各種高頻DC-DC轉換應用�
  5. 極低的導通電阻和柵極電荷,有助于降低傳導和開關損耗�
  6. 支持高達150°C的工作溫�,增強了器件在高溫環(huán)境下的可靠��
  這些特性使得CSD95372AQ5M成為高效電源系統(tǒng)中的理想選擇�

應用

CSD95372AQ5M適用于以下應用場景:
  1. �(shù)�(jù)中心和通信設備中的高效DC-DC轉換��
  2. 電信整流器和基站電源�
  3. 高頻諧振轉換�,如LLC或CLLC拓撲�
  4. 工業(yè)電機驅動和逆變器控制�
  5. 高功率密度AC-DC適配��
  6. 電動汽車充電站和其他需要高效功率轉換的場合�
  由于其高效率和高頻性能,這款器件非常適合需要小尺寸和高功率密度的設��

替代型號

CSD95373KCS
  CSD95371KCS
  CSD95372Q5A

csd95372aq5m推薦供應� 更多>

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csd95372aq5m參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�12,480�(xiàn)�
  • 價格1 : �29.97000剪切帶(CT�2,500 : �16.96907卷帶(TR�
  • 系列NexFET?
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • 產品狀�(tài)在售
  • 輸出配置半橋
  • 應用同步降壓轉換�
  • 接口PWM
  • 負載類型電感
  • 技�功率 MOSFET
  • 導通電阻(典型值)-
  • 電流 - 輸出/通道60A
  • 電流 - 峰值輸�90A
  • 電壓 - 供電4.5V ~ 5.5V
  • 電壓 - 負載4.5V ~ 16V
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ�
  • 特�自舉電路,狀�(tài)標志
  • 故障保護超溫,擊�,UVLO
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 封裝/外殼12-PowerLFDFN
  • 供應商器件封�12-LSON-CLIP�5x6�