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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > CSD88539NDT

CSD88539NDT 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/22 10:49:05 查看 閱讀�18

CSD88539NDT是德州儀器(TI)推出的一款先�(jìn)的功率MOSFET,采�60V、N溝道�(shè)�(jì),適用于多種高效能開�(guān)�(yīng)用。這款器件基于先�(jìn)的工藝技�(shù)制�,具有極低的�(dǎo)通電阻和�(yōu)異的開關(guān)性能,可顯著提高系統(tǒng)的效率并降低能耗。它主要面向電機(jī)�(qū)�(dòng)、工�(yè)自動(dòng)�、通信電源和消�(fèi)類電子等�(lǐng)域的高密度功率轉(zhuǎn)換需求�

參數(shù)

額定電壓�60V
  最大漏源電流:42A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�2.1mΩ
  柵極電荷�28nC
  輸入電容�1520pF
  總熱阻(�(jié)到環(huán)境)�44�/W
  封裝形式:DSBGA
  工作溫度范圍�-55� � +175�

特�

CSD88539NDT是一款高性能的功率MOSFET,其特點(diǎn)包括�
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,在2.1mΩ的水平下可以有效減少�(dǎo)通損��
  2. 高效的開�(guān)性能,得益于其優(yōu)化的柵極電荷和輸入電�,能夠快速切換狀�(tài),從而降低開�(guān)損��
  3. 寬泛的工作溫度范圍(-55℃至+175℃),確保了其在極端條件下的可靠性�
  4. 小型化DSBGA封裝,適合高密度電路板布局,同�(shí)具備良好的散熱性能�
  5. 高額定電流能力(42A�,使其能夠承受大�(fù)載電流而不影響性能�
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代電子設(shè)備中�

�(yīng)�

CSD88539NDT適用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)管或同步整流��
  2. 電動(dòng)工具及家用電器的電機(jī)�(qū)�(dòng)電路�
  3. 工業(yè)自動(dòng)化控制中的功率級(jí)管理�
  4. 通信系統(tǒng)中的DC-DC�(zhuǎn)換模��
  5. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的電池充電器和電源適配器�
  6. LED照明�(qū)�(dòng)電路中的功率開關(guān)元件�

替代型號(hào)

CSD88538NDT
  CSD88599MDT
  CSD88598MDT

csd88539ndt推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

csd88539ndt資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載

csd88539ndt參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�3,995�(xiàn)�4,250Factory
  • �(jià)�1 : �7.55000剪切帶(CT�250 : �4.93976卷帶(TR�
  • 系列NexFET?
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 配置2 N-通道(雙�
  • FET 功能邏輯電平門
  • 漏源電壓(Vdss�60V
  • 25°C �(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)15A
  • 不同 Id、Vgs �(shí)�(dǎo)通電阻(最大值)28 毫歐 @ 5A�10V
  • 不同 Id �(shí) Vgs(th)(最大值)3.6V @ 250μA
  • 不同 Vgs �(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)9.4nC @ 10V
  • 不同 Vds �(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)741pF @ 30V
  • 功率 - 最大�2.1W
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商器件封�8-SOIC