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CSD88537ND 發(fā)布時間 時間�2025/5/6 13:50:59 查看 閱讀�23

CSD88537ND 是一款來� Texas Instruments (TI) � NexFET 功率 MOSFET,采� 8 引腳 DSBGA 封裝。該器件專為高效率功率轉換應用設計,具有低導通電阻和快速開關性能�
  它廣泛應用于 DC-DC 轉換�、負載點轉換� (POL) 和其他需要高效功率管理的場景�

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流�26A
  導通電� (Rds(on))�2.5mΩ @ Vgs=10V
  柵極電荷�48nC
  總熱� (結到�(huán)�)�59°C/W
  工作溫度范圍�-55°C � +150°C

特�

CSD88537ND 是一種優(yōu)化的功率 MOSFET,具備以下特點:
  1. 極低的導通電� Rds(on),有助于降低傳導損耗并提高系統(tǒng)效率�
  2. 快速開關性能,減少了開關損�,適合高頻操��
  3. 小型封裝 (DSBGA),節(jié)省印刷電路板空間,同時提供良好的散熱性能�
  4. 高可靠性,在廣泛的溫度范圍�(nèi)保持�(wěn)定性能�
  5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代設計中�

應用

CSD88537ND 主要用于以下領域�
  1. 服務器和通信設備中的 DC-DC 轉換�
  2. 筆記本電腦和其他便攜式設備的電源管理�
  3. 高效同步整流應用�
  4. 負載點轉換器 (POL) 和其他分布式電源架構�
  5. 工業(yè)自動化和汽車電子系統(tǒng)的功率控制模��

替代型號

CSD88538ND, CSD88536ND

csd88537nd推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

csd88537nd資料 更多>

  • 型號
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載

csd88537nd參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�3,359�(xiàn)�10,000Factory
  • 價格1 : �10.49000剪切帶(CT�2,500 : �4.76994卷帶(TR�
  • 系列NexFET?
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 技�MOSFET(金屬氧化物�
  • 配置2 N-通道(雙�
  • FET 功能-
  • 漏源電壓(Vdss�60V
  • 25°C 時電� - 連續(xù)漏極 (Id)15A
  • 不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值)15 毫歐 @ 8A�10V
  • 不同 Id � Vgs(th)(最大值)3.6V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時柵極電�?(Qg)(最大值)18nC @ 10V
  • 不同 Vds 時輸入電� (Ciss)(最大值)1400pF @ 30V
  • 功率 - 最大�2.1W
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應商器件封�8-SOIC