CSD88537ND 是一款來� Texas Instruments (TI) � NexFET 功率 MOSFET,采� 8 引腳 DSBGA 封裝。該器件專為高效率功率轉換應用設計,具有低導通電阻和快速開關性能�
它廣泛應用于 DC-DC 轉換�、負載點轉換� (POL) 和其他需要高效功率管理的場景�
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�26A
導通電� (Rds(on))�2.5mΩ @ Vgs=10V
柵極電荷�48nC
總熱� (結到�(huán)�)�59°C/W
工作溫度范圍�-55°C � +150°C
CSD88537ND 是一種優(yōu)化的功率 MOSFET,具備以下特點:
1. 極低的導通電� Rds(on),有助于降低傳導損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 快速開關性能,減少了開關損�,適合高頻操��
3. 小型封裝 (DSBGA),節(jié)省印刷電路板空間,同時提供良好的散熱性能�
4. 高可靠性,在廣泛的溫度范圍�(nèi)保持�(wěn)定性能�
5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代設計中�
CSD88537ND 主要用于以下領域�
1. 服務器和通信設備中的 DC-DC 轉換�
2. 筆記本電腦和其他便攜式設備的電源管理�
3. 高效同步整流應用�
4. 負載點轉換器 (POL) 和其他分布式電源架構�
5. 工業(yè)自動化和汽車電子系統(tǒng)的功率控制模��
CSD88538ND, CSD88536ND