CSD87381P是德州儀器(TI)推出的一�60V NexFET功率MOSFET。該器件采用先�(jìn)的制程工藝,具有低導(dǎo)通電阻和高效的開�(guān)性能,適合于高效�、高密度的電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用。此�,該芯片還具備出色的熱性能,能夠在緊湊的設(shè)�(jì)中提供更高的功率密度�
這款MOSFET主要用于降壓�(zhuǎn)換器、多相電壓調(diào)節(jié)模塊(VRM�、負(fù)載點(diǎn)(POL)轉(zhuǎn)換器以及DC-DC�(zhuǎn)換等�(yīng)�。其封裝形式�3.3mm x 3.3mm的QFN封裝,有助于減少整體解決方案的尺��
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�29A
�(dǎo)通電阻:1.4mΩ
柵極電荷�35nC
反向恢復(fù)電荷�17nC
工作溫度范圍�-55°C�150°C
封裝類型:QFN-8
CSD87381P采用了先�(jìn)的硅技�(shù),具有超低的�(dǎo)通電阻和�(yōu)化的柵極電荷,從而實(shí)�(xiàn)了極高的效率和更低的功耗�
其優(yōu)異的熱阻特性允許在較高的結(jié)溫下�(yùn)�,同時保持較低的溫升�
此外,該器件支持快速開�(guān),減少了開關(guān)損�,并且具備堅(jiān)固耐用的設(shè)�(jì)以應(yīng)對各種復(fù)雜的�(yīng)用環(huán)��
由于其小尺寸封裝和高性能表現(xiàn),CSD87381P非常適合�(yīng)用于空間受限但對效率要求較高的場��
CSD87381P廣泛�(yīng)用于�(jì)算機(jī)主板上的多相VRM電路、圖形處理器(GPU)供電電路以及其他需要高效DC-DC�(zhuǎn)換的場合�
它也適用于工�(yè)�(shè)備中的負(fù)載點(diǎn)�(zhuǎn)換器,例如通信基礎(chǔ)�(shè)施中的電源模塊�
此外,任何要求小型化�(shè)�(jì)并追求高效率的電子設(shè)備都可以考慮使用此款功率MOSFET�
CSD87380P
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