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CSD87381P 發(fā)布時間 時間�2025/5/6 13:04:04 查看 閱讀�19

CSD87381P是德州儀器(TI)推出的一�60V NexFET功率MOSFET。該器件采用先�(jìn)的制程工藝,具有低導(dǎo)通電阻和高效的開�(guān)性能,適合于高效�、高密度的電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用。此�,該芯片還具備出色的熱性能,能夠在緊湊的設(shè)�(jì)中提供更高的功率密度�
  這款MOSFET主要用于降壓�(zhuǎn)換器、多相電壓調(diào)節(jié)模塊(VRM�、負(fù)載點(diǎn)(POL)轉(zhuǎn)換器以及DC-DC�(zhuǎn)換等�(yīng)�。其封裝形式�3.3mm x 3.3mm的QFN封裝,有助于減少整體解決方案的尺��

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�29A
  �(dǎo)通電阻:1.4mΩ
  柵極電荷�35nC
  反向恢復(fù)電荷�17nC
  工作溫度范圍�-55°C�150°C
  封裝類型:QFN-8

特�

CSD87381P采用了先�(jìn)的硅技�(shù),具有超低的�(dǎo)通電阻和�(yōu)化的柵極電荷,從而實(shí)�(xiàn)了極高的效率和更低的功耗�
  其優(yōu)異的熱阻特性允許在較高的結(jié)溫下�(yùn)�,同時保持較低的溫升�
  此外,該器件支持快速開�(guān),減少了開關(guān)損�,并且具備堅(jiān)固耐用的設(shè)�(jì)以應(yīng)對各種復(fù)雜的�(yīng)用環(huán)��
  由于其小尺寸封裝和高性能表現(xiàn),CSD87381P非常適合�(yīng)用于空間受限但對效率要求較高的場��

�(yīng)�

CSD87381P廣泛�(yīng)用于�(jì)算機(jī)主板上的多相VRM電路、圖形處理器(GPU)供電電路以及其他需要高效DC-DC�(zhuǎn)換的場合�
  它也適用于工�(yè)�(shè)備中的負(fù)載點(diǎn)�(zhuǎn)換器,例如通信基礎(chǔ)�(shè)施中的電源模塊�
  此外,任何要求小型化�(shè)�(jì)并追求高效率的電子設(shè)備都可以考慮使用此款功率MOSFET�

替代型號

CSD87380P
  CSD87382P

csd87381p推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

csd87381p資料 更多>

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csd87381p參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�16,894�(xiàn)�10,000Factory
  • 價格1 : �7.31000剪切帶(CT�2,500 : �3.31511卷帶(TR�
  • 系列NexFET?
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 配置2 � N 通道(半橋)
  • FET 功能邏輯電平門
  • 漏源電壓(Vdss�30V
  • 25°C 時電� - 連續(xù)漏極 (Id)15A
  • 不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值)16.3 毫歐 @ 8A�8V
  • 不同 Id � Vgs(th)(最大值)1.9V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時柵極電�?(Qg)(最大值)5nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 時輸入電� (Ciss)(最大值)564pF @ 15V
  • 功率 - 最大�4W
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 封裝/外殼5-LGA
  • 供應(yīng)商器件封�5-PTAB�3x2.5�