CSD87350Q5D是德州儀器(TI)推出的一款集成半橋驅(qū)�(dòng)和功率MOSFET的高效率、低功耗氮化鎵(GaN)功率級(jí)器件。該芯片采用GaNPowertm技�(shù),專(zhuān)為同步降壓轉(zhuǎn)換器�(yīng)用設(shè)�(jì),具有高頻開(kāi)�(guān)能力,能夠顯著提升電源系�(tǒng)的功率密度和效率�
該器件將一�(gè)高側(cè)和低�(cè)增強(qiáng)型氮化鎵�(chǎng)效應(yīng)晶體管(eGaN FET)與�(yōu)化的柵極�(qū)�(dòng)器集成在一�,從而減少了寄生參數(shù)的影響并提高了整體性能。此�,它還支持快速的�(kāi)�(guān)速度和低�(kāi)�(guān)損�,非常適合高頻率DC-DC�(zhuǎn)換以及需要緊湊設(shè)�(jì)的應(yīng)用場(chǎng)景�
工作電壓�10V�60V
連續(xù)輸出電流:高�(dá)40A
RDS(on)(高�(cè)+低側(cè)):2.5mΩ典型�
柵極�(qū)�(dòng)電壓�5V
封裝形式:HotRod? 8引腳四方扁平�(wú)引線(QFN)封�
工作溫度范圍�-40°C�+150°C
�(kāi)�(guān)頻率:支持高�(dá)2MHz
CSD87350Q5D的主要特性包括以下幾�(diǎn)�
1. 集成了高�(cè)和低�(cè)氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體�,減少外部元件數(shù)��
2. �(nèi)置柵極驅(qū)�(dòng)器,�(yōu)化了死區(qū)�(shí)間和交叉?zhèn)�?dǎo)性能�
3. 超低�(dǎo)通電阻(RDS(on)�,降低了�(dǎo)通損耗�
4. 支持高頻操作,允許使用更小的電感和電�,從而減小解決方案尺��
5. 提供出色的熱性能,適合高功率密度�(yīng)��
6. 符合汽車(chē)�(jí)�(biāo)�(zhǔn)(AEC-Q101�(rèn)證),適用于�(yán)苛環(huán)境下的可靠運(yùn)行�
7. �(nèi)部保�(hù)功能,如�(guò)流保�(hù)和短路保�(hù),增�(qiáng)了系�(tǒng)可靠��
CSD87350Q5D廣泛�(yīng)用于多種高性能電源管理�(lǐng)�,包括:
1. 電信和網(wǎng)�(luò)�(shè)備中的POL(負(fù)載點(diǎn))轉(zhuǎn)換器�
2. �(shù)�(jù)中心服務(wù)器及存儲(chǔ)�(shè)備的高效電源模塊�
3. 汽車(chē)電子系統(tǒng),例如DC-DC�(zhuǎn)換器和車(chē)載充電機(jī)�
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的緊湊型電源解決方案�
5. 筆記本電腦適配器和其他消�(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)品中的快充應(yīng)��
6. 任何需要高效率、高頻開(kāi)�(guān)和高功率密度的場(chǎng)��
CSD88599Q5D, CSD87374Q5D