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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > CSD87331Q3D

CSD87331Q3D 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/6 16:25:51 查看 閱讀�26

CSD87331Q3D是TI(德州儀器)推出的一款N通道功率MOSFET,采用先�(jìn)的封裝技�(shù),適用于高效率、高密度的電源轉(zhuǎn)換應(yīng)�。該器件�(zhuān)為同步整流和DC-DC�(zhuǎn)換器�(shè)�(jì),具有極低的�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)性能,有助于提高系統(tǒng)效率并減少熱量生成�
  這款MOSFET采用了QFN封裝形式,能夠有效提升散熱性能,并�(jiǎn)化PCB布局�(shè)�(jì)。其典型�(yīng)用場(chǎng)景包括筆記本電腦適配�、服�(wù)器電源、電信電源等需要高效能與緊湊空間結(jié)合的�(lǐng)��

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流�26A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.3mΩ
  柵極電荷�49nC
  輸入電容�2285pF
  工作溫度范圍�-55°C�150°C
  封裝�(lèi)型:QFN 8x8mm

特�

CSD87331Q3D的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)�1.3mΩ,可顯著降低�(dǎo)通損��
  2. 快速開(kāi)�(guān)能力,具備較低的柵極電荷和輸出電�,優(yōu)化了�(dòng)�(tài)性能�
  3. 高電流處理能�,支持高�(dá)26A的連續(xù)漏極電流�
  4. 支持寬泛的工作溫度范圍,適應(yīng)惡劣�(huán)境下的使用需��
  5. 封裝形式為QFN 8x8mm,提供出色的熱管理和電氣性能�
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且安全可靠�

�(yīng)�

CSD87331Q3D廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 同步整流電路,用于提升效��
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器,特別是在高性能�(jì)算和通信�(shè)備中�
  3. 筆記本電腦及平板電腦的充電器和適配器�
  4. 服務(wù)器和�(shù)�(jù)中心電源模塊�
  5. 電信基站和其他工�(yè)�(jí)電源解決方案�
  6. LED�(qū)�(dòng)器以及其他對(duì)效率敏感的應(yīng)用場(chǎng)��

替代型號(hào)

CSD87330Q5A, CSD87332Q5A, CSD87333Q5A

csd87331q3d推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • �(chǎng)�
  • 封裝/批號(hào)
  • �(xún)�(jià)

csd87331q3d資料 更多>

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csd87331q3d參數(shù)

  • �(chǎn)品培�(xùn)模塊NexFET MOSFET Technology
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝1
  • �(lèi)�分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列NexFET™
  • FET �2 N 溝道(半橋)
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C15A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C-
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)2.1V�1.2V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs3.2nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds518pF @ 15V
  • 功率 - 最�6W
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝
  • 封裝/外殼8-LDFN 裸露焊盤(pán)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-SON-EP�3.3x3.3�
  • 包裝Digi-Reel?
  • 其它名稱(chēng)296-29695-6