CSD86350Q5D是德州儀器(TI)推出的一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的集成半橋功率級芯片,專為高效率和高頻率開關(guān)�(yīng)用設(shè)計。它將一個高端和低端GaN FET與驅(qū)動器集成在一�,從而簡化了電路�(shè)計并提升了性能。該器件適用于需要高效能和快速動�(tài)響應(yīng)的應(yīng)用場�,例如數(shù)�(jù)中心電源、電信設(shè)�、服�(wù)器電源以及工�(yè)AC-DC�(zhuǎn)換器等�
這款芯片采用PowerStack封裝形式,能夠顯著減少寄生電�,同時支持高�1.7 MHz的工作頻�。其卓越的熱性能和高電流處理能力使得CSD86350Q5D成為�(xiàn)代高效功率轉(zhuǎn)換的理想選擇�
型號:CSD86350Q5D
制造商:德州儀器(TI�
封裝類型:PowerStack?
工作電壓范圍�4.5V � 17V
最大RDS(on) 高端FET�7.5mΩ 典型�
最大RDS(on) 低端FET�4mΩ 典型�
連續(xù)輸出電流:約50A
工作頻率:最高可�1.7MHz
輸入電容�250pF
�(guān)斷時間:典型�30ns
邏輯輸入兼容性:TTL � CMOS
保護功能:欠壓鎖定(UVLO�
CSD86350Q5D采用了先進的氮化鎵(GaN)技�(shù),具備極低的�(dǎo)通電阻(RDS(on)�,可有效降低傳導(dǎo)損耗。此�,它的高頻運行能力使其非常適合用于小型化�(shè)�。該器件�(nèi)部集成了�(yōu)化的柵極�(qū)動器,可以最大限度地減少死區(qū)時間和交叉導(dǎo)通的�(fēng)��
由于采用了PowerStack封裝技�(shù),CSD86350Q5D在散熱性能上表�(xiàn)�(yōu)�,且大幅降低了寄生電感的影響。這種封裝形式還允許芯片堆疊安�,從而節(jié)省PCB空間�
另外,CSD86350Q5D具有良好的電磁干擾(EMI)性能,并提供全面的保護機�,如欠壓鎖定(UVLO�,確保在異常條件下安全運行�
總體而言,這款芯片通過�(jié)合GaN晶體管的高性能特性和集成�(qū)動器的便利�,實�(xiàn)了更高的功率密度和更簡單的系�(tǒng)�(shè)計�
CSD86350Q5D主要�(yīng)用于需要高效率和高頻工作的�(lǐng)�,包括但不限于以下方面:
1. �(shù)�(jù)中心電源模塊
2. 電信基礎(chǔ)�(shè)施中的AC-DC�(zhuǎn)�
3. 服務(wù)器和�(wǎng)�(luò)�(shè)備的電源管理
4. 圖形處理器(GPU)供�
5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的高效開�(guān)電源
6. 大功率LED�(qū)動器
7. 快速充電適配器以及其他消費類電子產(chǎn)品中的高效電源解決方�
LMG3411R030, CSD88584Q5D