CSD85312Q3E是一款來(lái)自德州儀器(TI)的高性能氮化鎵(GaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET�,采用熱增強(qiáng)型小尺寸QFN封裝。該器件將高效的GaN�(kāi)�(guān)與優(yōu)化的柵極�(qū)�(dòng)技�(shù)�(jié)合在一�,旨在提供更高的功率密度和效�。其適用于高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)用場(chǎng)�,例如DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)、太�(yáng)能逆變器等。這款芯片通過(guò)減少寄生電感和優(yōu)化布局�(shè)�(jì),能�?qū)崿F(xiàn)快速開(kāi)�(guān)和低損耗性能�
該芯片內(nèi)置保�(hù)功能,確保在異常條件下穩(wěn)定運(yùn)行。此�,由于其高頻率工作能�,可以顯著減小無(wú)源元件體積,從而降低整體系�(tǒng)成本�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�41A
�(dǎo)通電阻:7.5mΩ
柵極電荷�19nC
�(kāi)�(guān)頻率:高�(dá)�(shù)MHz
封裝形式:QFN 8x8mm
工作溫度范圍�-55℃至+150�
CSD85312Q3E的主要特�(diǎn)包括�
1. 高效GaN技�(shù):相比傳�(tǒng)硅MOSFET,具備更低的�(dǎo)通電阻和更少的能量損失�
2. 快速開(kāi)�(guān)性能:超低的柵極電荷和輸出電荷支持高頻操�,提高功率轉(zhuǎn)換效��
3. 熱性能�(yōu)異:QFN封裝提供出色的散熱能力,適合高功率應(yīng)用場(chǎng)��
4. 減少外圍元件�(shù)量:得益于其高頻特性,可使用更小尺寸的磁性元件和電容�,從而節(jié)省PCB空間�
5. �(nèi)置保�(hù)功能:集成過(guò)流保�(hù)和短路保�(hù)�(jī)�,提高了系統(tǒng)的可靠��
6. 易于�(qū)�(dòng):兼容標(biāo)�(zhǔn)柵極�(qū)�(dòng)信號(hào),簡(jiǎn)化了電路�(shè)�(jì)流程�
CSD85312Q3E適用于以下領(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS):如AC-DC適配器和USB-PD充電��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器:用于服�(wù)�、通信�(shè)備以及電�(dòng)車中的高效能量轉(zhuǎn)��
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng):特別是需要快速動(dòng)�(tài)響應(yīng)的應(yīng)用場(chǎng)��
4. 太陽(yáng)能微型逆變器:提升光伏系統(tǒng)的轉(zhuǎn)換效��
5. 汽車電子:如車載充電器(OBC�、DC-DC變換器以及其他高壓應(yīng)用�
6. 工業(yè)自動(dòng)化:為各類工�(yè)�(shè)備提供可靠的功率控制解決方案�
CSD85311Q3E, CSD85321Q3E