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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > CSD85312Q3E

CSD85312Q3E 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/6 21:08:23 查看 閱讀�26

CSD85312Q3E是一款來(lái)自德州儀器(TI)的高性能氮化鎵(GaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET�,采用熱增強(qiáng)型小尺寸QFN封裝。該器件將高效的GaN�(kāi)�(guān)與優(yōu)化的柵極�(qū)�(dòng)技�(shù)�(jié)合在一�,旨在提供更高的功率密度和效�。其適用于高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)用場(chǎng)�,例如DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)、太�(yáng)能逆變器等。這款芯片通過(guò)減少寄生電感和優(yōu)化布局�(shè)�(jì),能�?qū)崿F(xiàn)快速開(kāi)�(guān)和低損耗性能�
  該芯片內(nèi)置保�(hù)功能,確保在異常條件下穩(wěn)定運(yùn)行。此�,由于其高頻率工作能�,可以顯著減小無(wú)源元件體積,從而降低整體系�(tǒng)成本�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�41A
  �(dǎo)通電阻:7.5mΩ
  柵極電荷�19nC
  �(kāi)�(guān)頻率:高�(dá)�(shù)MHz
  封裝形式:QFN 8x8mm
  工作溫度范圍�-55℃至+150�

特�

CSD85312Q3E的主要特�(diǎn)包括�
  1. 高效GaN技�(shù):相比傳�(tǒng)硅MOSFET,具備更低的�(dǎo)通電阻和更少的能量損失�
  2. 快速開(kāi)�(guān)性能:超低的柵極電荷和輸出電荷支持高頻操�,提高功率轉(zhuǎn)換效��
  3. 熱性能�(yōu)異:QFN封裝提供出色的散熱能力,適合高功率應(yīng)用場(chǎng)��
  4. 減少外圍元件�(shù)量:得益于其高頻特性,可使用更小尺寸的磁性元件和電容�,從而節(jié)省PCB空間�
  5. �(nèi)置保�(hù)功能:集成過(guò)流保�(hù)和短路保�(hù)�(jī)�,提高了系統(tǒng)的可靠��
  6. 易于�(qū)�(dòng):兼容標(biāo)�(zhǔn)柵極�(qū)�(dòng)信號(hào),簡(jiǎn)化了電路�(shè)�(jì)流程�

�(yīng)�

CSD85312Q3E適用于以下領(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS):如AC-DC適配器和USB-PD充電��
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器:用于服�(wù)�、通信�(shè)備以及電�(dòng)車中的高效能量轉(zhuǎn)��
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng):特別是需要快速動(dòng)�(tài)響應(yīng)的應(yīng)用場(chǎng)��
  4. 太陽(yáng)能微型逆變器:提升光伏系統(tǒng)的轉(zhuǎn)換效��
  5. 汽車電子:如車載充電器(OBC�、DC-DC變換器以及其他高壓應(yīng)用�
  6. 工業(yè)自動(dòng)化:為各類工�(yè)�(shè)備提供可靠的功率控制解決方案�

替代型號(hào)

CSD85311Q3E, CSD85321Q3E

csd85312q3e推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

csd85312q3e資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
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csd85312q3e參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)貨查看交�
  • �(jià)�1 : �9.70000剪切帶(CT�2,500 : �4.41220卷帶(TR�
  • 系列NexFET?
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 配置2 N 溝道(雙)共�
  • FET 功能邏輯電平柵極�5V �(qū)�(dòng)
  • 漏源電壓(Vdss�20V
  • 25°C �(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)39A
  • 不同 Id、Vgs �(shí)�(dǎo)通電阻(最大值)12.4 毫歐 @ 10A�8V
  • 不同 Id �(shí) Vgs(th)(最大值)1.4V @ 250μA
  • 不同 Vgs �(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)15.2nC @ 4.5V
  • 不同 Vds �(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)2390pF @ 10V
  • 功率 - 最大�2.5W
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 封裝/外殼8-PowerVDFN
  • 供應(yīng)商器件封�8-VSON�3.3x3.3�