CSD85302L 是一款來自德州儀� (TI) � NexFET 功率 MOSFET,采� 8 引腳 DSON 封裝。該器件主要用于提高效率和功率密度的開關應用�,例� DC-DC 轉換�、負載點 (POL) 轉換器和電機驅動�。其低導通電阻和�(yōu)化的開關特性使其非常適合高頻開關應��
CSD85302L 集成了高端和低端開關 MOSFET 的功�,同時具備較低的柵極電荷和輸出電�,從而顯著降低開關損耗并提升整體效率�
類型:N溝道 MOSFET
封裝:DSON-8
Vds(最大漏源電壓)�20V
Rds(on)(最大導通電阻)�3.6mΩ @ Vgs=10V
Qg(總柵極電荷):9nC
Ciss(輸入電容)�1380pF
fMAX(最高工作頻率)�4MHz
工作溫度范圍�-55°C � +150°C
CSD85302L 具有以下關鍵特性:
1. 極低的導通電� Rds(on),可減少傳導損�,適合高效率應用�
2. 總柵極電� Qg 較低,有助于降低開關損��
3. 最高支� 4MHz 工作頻率,非常適合高頻開關電源設��
4. 提供緊湊� DSON-8 封裝,節(jié)� PCB 空間�
5. 支持較寬的工作溫度范�,適應各種環(huán)境條��
6. �(yōu)異的熱性能表現(xiàn),能夠可靠地運行在高功率密度場景��
CSD85302L 廣泛應用于以下領域:
1. 同步降壓轉換��
2. 負載� (POL) 轉換��
3. 分離式同步整流電��
4. 高效 DC-DC 轉換模塊�
5. 電機驅動控制電路�
6. 筆記本電腦和其他便攜式設備的電源管理部分�
7. 通信基礎設施中的高效電源解決方案�
CSD85301L
CSD85303L
CSD85304L