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您所在的位置�電子元器件采購網 > IC百科 > CSD85302L

CSD85302L 發(fā)布時間 時間�2025/5/6 20:48:44 查看 閱讀�22

CSD85302L 是一款來自德州儀� (TI) � NexFET 功率 MOSFET,采� 8 引腳 DSON 封裝。該器件主要用于提高效率和功率密度的開關應用�,例� DC-DC 轉換�、負載點 (POL) 轉換器和電機驅動�。其低導通電阻和�(yōu)化的開關特性使其非常適合高頻開關應��
  CSD85302L 集成了高端和低端開關 MOSFET 的功�,同時具備較低的柵極電荷和輸出電�,從而顯著降低開關損耗并提升整體效率�

參數(shù)

類型:N溝道 MOSFET
  封裝:DSON-8
  Vds(最大漏源電壓)�20V
  Rds(on)(最大導通電阻)�3.6mΩ @ Vgs=10V
  Qg(總柵極電荷):9nC
  Ciss(輸入電容)�1380pF
  fMAX(最高工作頻率)�4MHz
  工作溫度范圍�-55°C � +150°C

特�

CSD85302L 具有以下關鍵特性:
  1. 極低的導通電� Rds(on),可減少傳導損�,適合高效率應用�
  2. 總柵極電� Qg 較低,有助于降低開關損��
  3. 最高支� 4MHz 工作頻率,非常適合高頻開關電源設��
  4. 提供緊湊� DSON-8 封裝,節(jié)� PCB 空間�
  5. 支持較寬的工作溫度范�,適應各種環(huán)境條��
  6. �(yōu)異的熱性能表現(xiàn),能夠可靠地運行在高功率密度場景��

應用

CSD85302L 廣泛應用于以下領域:
  1. 同步降壓轉換��
  2. 負載� (POL) 轉換��
  3. 分離式同步整流電��
  4. 高效 DC-DC 轉換模塊�
  5. 電機驅動控制電路�
  6. 筆記本電腦和其他便攜式設備的電源管理部分�
  7. 通信基礎設施中的高效電源解決方案�

替代型號

CSD85301L
  CSD85303L
  CSD85304L

csd85302l推薦供應� 更多>

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csd85302l參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�8,227�(xiàn)�9,000Factory
  • 價格1 : �4.77000剪切帶(CT�3,000 : �1.68816卷帶(TR�
  • 系列NexFET?
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • 產品狀�(tài)在售
  • 技�MOSFET(金屬氧化物�
  • 配置2 N 溝道(雙)共�
  • FET 功能-
  • 漏源電壓(Vdss�-
  • 25°C 時電� - 連續(xù)漏極 (Id)-
  • 不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值)-
  • 不同 Id � Vgs(th)(最大值)-
  • 不同 Vgs 時柵極電�?(Qg)(最大值)7.8nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 時輸入電� (Ciss)(最大值)-
  • 功率 - 最大�1.7W
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 封裝/外殼4-XFLGA
  • 供應商器件封�4-Picostar�1.31x1.31�