CSD25484F4 是一款由 TI(德州儀器)推出� 60V NexFET 功率 MOSFET,采用先�(jìn)的硅技�(shù)制�。它主要用于提高效率和降低功耗的�(yīng)用場(chǎng)合。該器件具有極低的導(dǎo)通電阻和柵極電荷,使其非常適合高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)��
這款功率 MOSFET 的封裝形式為 3.3mm x 3.3mm SON(小外形�(wú)引腳�,有助于節(jié)� PCB 空間并支持高密度�(shè)�(jì)。其出色的性能參數(shù)使其成為消費(fèi)電子、通信�(shè)備和工業(yè)�(yīng)用中的理想選��
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�29A
�(dǎo)通電阻(典型值)�17mΩ
柵極電荷(Qg):11nC
總柵極電荷(Qgt):19nC
工作�(jié)溫范圍:-55°C � +150°C
封裝�(lèi)型:SON-8
CSD25484F4 提供了非常低的導(dǎo)通電� Rds(on),這有助于減少傳導(dǎo)損�,特別是在大電流�(yīng)用中。同�(shí),其低柵極電荷特性也使得�(kāi)�(guān)損耗得以降�,從而提高了整體系統(tǒng)效率�
此外,該 MOSFET 具備快速開(kāi)�(guān)能力,可有效�(yīng)用于高頻 DC/DC �(zhuǎn)換器和負(fù)載點(diǎn)�(zhuǎn)換器中�
它的小型化封裝有助于�(jiǎn)� PCB 布局,并�(mǎn)足現(xiàn)代電子產(chǎn)品對(duì)緊湊�(shè)�(jì)的需��
CSD25484F4 還具備良好的熱性能,能夠在較寬的工作溫度范圍內(nèi)保持�(wěn)定的電氣特性�
這款 MOSFET 廣泛用于各種高效能電源管理解決方�,包括但不限于:
1. �(kāi)�(guān)模式電源 (SMPS)
2. DC/DC �(zhuǎn)換器
3. 多相 VR 控制�
4. 筆記本電腦和�(tái)式機(jī)電源
5. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)
6. 消費(fèi)�(lèi)電子�(shè)備的電池管理系統(tǒng)
其高效的性能使它特別適合需要高頻操作和低損耗的�(yīng)用場(chǎng)��
CSD18502F4, CSD18503Q5A