CSD25483F4是德州儀器(TI)推出的N溝道增強(qiáng)型碳化硅(SiC)MOSFET。該器件具有高效率、高開關(guān)頻率和高溫性能,適用于要求�(yán)苛的功率�(zhuǎn)換應(yīng)�。由于其出色的電氣特性,CSD25483F4非常適合用于電動汽車充電�、太陽能逆變�、不間斷電源(UPS)、電�(jī)�(qū)動等場景�
這款MOSFET采用D2PAK-7封裝形式,提供卓越的散熱性能和堅固的�(jī)械設(shè)�。此�,它還具備低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)能力,從而顯著提高了系統(tǒng)效率并降低了功率損��
最大漏源電壓:1200V
連續(xù)漏極電流�26A
�(dǎo)通電阻:75mΩ
柵極電荷�90nC
輸入電容�380pF
開關(guān)速度:非常快
工作溫度范圍�-55℃至175�
CSD25483F4采用了先�(jìn)的碳化硅技�(shù),相比傳�(tǒng)的硅基MOSFET,能夠提供更高的效率和更好的熱管理能��
1. 高擊穿電壓:1200V的額定電壓使其能夠在高壓�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)行�
2. 低導(dǎo)通電阻:�75mΩ的導(dǎo)通電阻有助于減少傳導(dǎo)損�,提高整體效率�
3. 快速開�(guān)特性:極低的柵極電荷和輸出電荷使得該器件可以實�(xiàn)高頻操作,從而減小無源元件尺��
4. 耐高溫性能:支持高�(dá)175℃的工作溫度,適合惡劣環(huán)境下的應(yīng)��
5. 緊湊封裝:D2PAK-7封裝不僅便于安裝,還能有效提升散熱性能�
總之,CSD25483F4是一款高度優(yōu)化的功率半導(dǎo)體器�,為�(xiàn)代電力電子系�(tǒng)提供了理想的解決方案�
CSD25483F4主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 工業(yè)電源:如服務(wù)器電�、通信電源等高效功率轉(zhuǎn)換系�(tǒng)�
2. 新能源汽車:車載充電器(OBC�、DC/DC�(zhuǎn)換器��
3. 可再生能源:太陽能逆變�、風(fēng)能變流器等需要高效率和高可靠性的場合�
4. 電機(jī)�(qū)動:工業(yè)自動化設(shè)備中的高性能電機(jī)控制�
5. 不間斷電源(UPS):為關(guān)鍵負(fù)載提供穩(wěn)定可靠的電力支持�
CSD19506Q5B