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CSD25483F4 發(fā)布時間 時間�2025/5/6 14:08:58 查看 閱讀�24

CSD25483F4是德州儀器(TI)推出的N溝道增強(qiáng)型碳化硅(SiC)MOSFET。該器件具有高效率、高開關(guān)頻率和高溫性能,適用于要求�(yán)苛的功率�(zhuǎn)換應(yīng)�。由于其出色的電氣特性,CSD25483F4非常適合用于電動汽車充電�、太陽能逆變�、不間斷電源(UPS)、電�(jī)�(qū)動等場景�
  這款MOSFET采用D2PAK-7封裝形式,提供卓越的散熱性能和堅固的�(jī)械設(shè)�。此�,它還具備低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)能力,從而顯著提高了系統(tǒng)效率并降低了功率損��

參數(shù)

最大漏源電壓:1200V
  連續(xù)漏極電流�26A
  �(dǎo)通電阻:75mΩ
  柵極電荷�90nC
  輸入電容�380pF
  開關(guān)速度:非常快
  工作溫度范圍�-55℃至175�

特�

CSD25483F4采用了先�(jìn)的碳化硅技�(shù),相比傳�(tǒng)的硅基MOSFET,能夠提供更高的效率和更好的熱管理能��
  1. 高擊穿電壓:1200V的額定電壓使其能夠在高壓�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)行�
  2. 低導(dǎo)通電阻:�75mΩ的導(dǎo)通電阻有助于減少傳導(dǎo)損�,提高整體效率�
  3. 快速開�(guān)特性:極低的柵極電荷和輸出電荷使得該器件可以實�(xiàn)高頻操作,從而減小無源元件尺��
  4. 耐高溫性能:支持高�(dá)175℃的工作溫度,適合惡劣環(huán)境下的應(yīng)��
  5. 緊湊封裝:D2PAK-7封裝不僅便于安裝,還能有效提升散熱性能�
  總之,CSD25483F4是一款高度優(yōu)化的功率半導(dǎo)體器�,為�(xiàn)代電力電子系�(tǒng)提供了理想的解決方案�

�(yīng)�

CSD25483F4主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 工業(yè)電源:如服務(wù)器電�、通信電源等高效功率轉(zhuǎn)換系�(tǒng)�
  2. 新能源汽車:車載充電器(OBC�、DC/DC�(zhuǎn)換器��
  3. 可再生能源:太陽能逆變�、風(fēng)能變流器等需要高效率和高可靠性的場合�
  4. 電機(jī)�(qū)動:工業(yè)自動化設(shè)備中的高性能電機(jī)控制�
  5. 不間斷電源(UPS):為關(guān)鍵負(fù)載提供穩(wěn)定可靠的電力支持�

替代型號

CSD19506Q5B

csd25483f4推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
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  • 詢價

csd25483f4資料 更多>

  • 型號
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csd25483f4�(chǎn)�

csd25483f4參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�9,004�(xiàn)�9,000Factory
  • 價格1 : �3.26000剪切帶(CT�3,000 : �0.60419卷帶(TR�
  • 系列NexFET?
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • FET 類型P 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�20 V
  • 25°C 時電� - 連續(xù)漏極 (Id)1.6A(Ta�
  • �(qū)動電壓(最� Rds On,最� Rds On�1.8V�4.5V
  • 不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值)205 毫歐 @ 500mA�8V
  • 不同 Id � Vgs(th)(最大值)1.2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時柵極電�?(Qg)(最大值)0.959 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值)-12V
  • 不同 Vds 時輸入電� (Ciss)(最大值)198 pF @ 10 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)500mW(Ta�
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 供應(yīng)商器件封�3-PICOSTAR
  • 封裝/外殼3-XFDFN