CSD25480F3是由TI(德州儀器)推出的一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET功率晶體�。該器件采用SON-8封裝,主要用于需要高效開�(guān)和低�(dǎo)通損耗的�(yīng)用場�。其�(shè)計旨在降低導(dǎo)通電�,從而提高效率并減少熱耗散�
這款MOSFET特別適用于DC-DC�(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)、電�(jī)�(qū)動以及便攜式電子�(shè)備中的電源管理模塊等�(yīng)用。通過�(yōu)化的工藝技�(shù),它在高頻開�(guān)條件下表�(xiàn)出優(yōu)異的性能�
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�16A
�(dǎo)通電阻(典型值)�1.4mΩ
柵極電荷�19nC
開關(guān)時間:ton=12ns, toff=15ns
工作�(jié)溫范圍:-55℃至175�
CSD25480F3具有超低�(dǎo)通電�,能夠顯著降低傳�(dǎo)損耗,提升整體系統(tǒng)效率�
該器件采用了先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,確保了高可靠性和�(wěn)定��
其小型化的SON-8封裝有助于節(jié)省PCB空間,非常適合空間受限的�(shè)��
此外,它還具備快速開�(guān)能力,能夠在高頻條件下保持較低的開關(guān)損��
由于其寬泛的工作溫度范圍,CSD25480F3可以適應(yīng)各種惡劣�(huán)境下的應(yīng)用需求�
CSD25480F3廣泛�(yīng)用于消費(fèi)類電子產(chǎn)�、工�(yè)控制和通信�(shè)備等�(lǐng)��
在電源管理方�,它可以用于同步整流、降�/升壓�(zhuǎn)換器以及�(fù)載開�(guān)�
此外,該器件還適合于小型電機(jī)�(qū)�、電池保�(hù)電路以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的場合�
由于其出色的熱性能和電氣特�,CSD25480F3成為許多高性能�(yīng)用的理想選擇�
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CSD88580Q5A
CSD25470F3