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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > CSD25211W1015

CSD25211W1015 發(fā)布時間 時間�2025/5/6 18:33:44 查看 閱讀�23

CSD25211W1015是來自TI(德州儀器)的一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET,采用SON-8封裝形式。該器件專為高效率和低損耗應(yīng)用設(shè)�(jì),具有極低的�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,非常適合用于負(fù)載切�、同步整�、DC/DC�(zhuǎn)換器等場��
  這款MOSFET在小型化�(shè)�(jì)中表�(xiàn)出色,同時提供出色的電氣性能和熱性能。其低導(dǎo)通電阻有助于減少功率損�,從而提高整體系�(tǒng)效率�

參數(shù)

類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
  封裝:SON-8
  Vds(漏源電壓)�30V
  Rds(on)(導(dǎo)通電阻)�7mΩ(典型值,@Vgs=10V�
  Id(連續(xù)漏極電流):20A
  Vgs(柵源電壓):�20V
  Qg(總柵極電荷):12nC
  EAS(雪崩能量)�36mJ
  fT(過渡頻率)�2.4MHz
  Tj(工作結(jié)溫范圍)�-55℃至175�

特�

CSD25211W1015具備以下�(guān)鍵特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻Rds(on),可以顯著降低功率損�,提高系�(tǒng)的能效�
  2. 高電流承載能�,最大支�20A的連續(xù)漏極電流�
  3. 快速開�(guān)速度,低柵極電荷Qg確保高效的高頻操��
  4. 小巧的SON-8封裝,適合空間受限的�(yīng)��
  5. 工作溫度范圍�,從-55℃到175℃,適應(yīng)多種�(huán)境條��
  6. �(qiáng)大的雪崩能量處理能力,提升器件的可靠��

�(yīng)�

CSD25211W1015適用于以下應(yīng)用領(lǐng)域:
  1. DC/DC�(zhuǎn)換器中的高效開關(guān)元件�
  2. 同步整流電路中的�(guān)鍵組��
  3. 電機(jī)�(qū)動中的功率級開關(guān)�
  4. �(fù)載切換和保護(hù)電路�
  5. 筆記本電�、平板電腦及其他便攜式電子設(shè)備的電源管理�
  6. 汽車電子系統(tǒng)中的電源控制和管理模��

替代型號

CSD19506Q5A,CSD18541Q5B

csd25211w1015推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

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csd25211w1015參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列NexFET™
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C3.2A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C33 毫歐 @ 1.5A�4.5V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)1.1V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs4.1nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds570pF @ 10V
  • 功率 - 最�1W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼6-UFBGA,DSBGA
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�6-DSBGA�1x1.5�
  • 包裝帶卷 (TR)